设计具有高导电性的n型聚合物仍然是有机热电材料 (OTE) 的主要挑战。在此,通过设计一种新型的基于
硒吩的缺电子结构单元,
硒取代在同时实现先进n型聚合物方面的显着优势被证明具有高迁移率(由于两者的原因,与其
硫基类似物相比高约 2 个数量级)增强的链内和链间相互作用)和所得聚合物的n掺杂效率大大提高(通过大幅降低的 LUMO
水平和≈0.2 eV 裕度实现)。通过侧链优化和供体工程,
硒取代聚合物 f-BSeI2T
EG-FT 实现了 103.5 S cm -1的最高电导率和 70.1 µW m -1 K -2的功率因数,这是文献中报道的n型聚合物的最高值之一,f-BSeI2T
EG-FT 的电导率增加 40%,大大优于
硫基模拟聚合物。这些结果表明,
硒替代是提高n型性能的一种非常有效的策略,并为开发高性能n型 OTE 材料提供了重要的结构-性能相关性。