2-苯基-丁-2-烯腈 | 65221-12-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 2-苯基-丁-2-烯腈
• 英文名称: (E)-2-phenyl-2-butenenitrile
• 英文别名: (E)-2-phenylbut-2-enenitrile；2-Phenyl-trans-buten-(2)-saeurenitril；α-Phenylcrotonitril；trans-α-Phenyl-crotonamid；2-phenyl-but-2-enenitrile；2-phenyl-2-butenonitrile；2-Phenylbut-2-enenitrile
• CAS: 65221-12-7
• 化学式: C₁₀H₉N
• 分子量: 143.188
• InChiKey: ZYBPSQSGQRMLDY-MBXJOHMKSA-N

物化性质

• 沸点：
  254.0±10.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.996±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.4
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.1
• 拓扑面积：
  23.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-苯基-丁-2-烯腈 在 sodium hydroxide 、 苄基三乙基氯化铵 作用下， 以 氯仿 为溶剂， 以33%的产率得到2,2-dichloro-3-methyl-1-phenylcyclopropane-1-carbonitrile
  参考文献：
  名称：

  2- and 3-chloropyrroles and process for preparing the same

  摘要：

  以一般式表示的2-或3-氯吡咯类新型化合物，其一般式为：##STR1## 其中R.sup.1代表氢原子、氯原子、烷基或芳基，所述烷基或芳基可以选择性地被取代，但是在R.sup.1所代表的两个基团中的任意一个为氯原子，R.sup.2代表可以选择性地被取代的烷基或芳基，R.sup.3代表可以被苯基取代的三级烷基，或者可以选择性地被取代的苯基，以及制备它们的方法。

  公开号：

  US05210218A1
• 作为产物：
  描述：

  2-phenyl-but-2-enenitrile 以43%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  KUMAGAI TSUTOMU; SEGAWA TORU; ENDO ZEN-ICHIROU; MUKAI TOSHIO, TETRAHEDRON LETT., 27,(1986) N 51, 6225-6228

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Nickel-Catalyzed Markovnikov Transfer Hydrocyanation in the Absence of Lewis Acid
  作者：Nils L. Frye、Anup Bhunia、Armido Studer

  DOI：10.1021/acs.orglett.0c01454

  日期：2020.6.5

  Hydrocyanation in the absence of toxic HCN gas is highly desirable. Addressing that challenge, transition-metal-catalyzed transfer hydrocyanation using safe HCN precursors has been developed, but these reagents generally require a Lewis acid for activation, and the control of regioselectivity often remains problematic. In this Letter, a Ni-catalyzed highly Markovnikov-selective transfer hydrocyanation

  在没有有毒的HCN气体的情况下进行氢氰化是非常需要的。为了应对这一挑战，已经开发出使用安全的HCN前体的过渡金属催化的转移氢氰化反应，但是这些试剂通常需要路易斯酸进行活化，并且对区域选择性的控制通常仍然存在问题。在这封信中，报道了在没有任何路易斯酸的情况下进行的镍催化的高度马尔可夫尼科夫选择性转移氢氰化反应。易制得的原芳族1-异丙基环己-2,5-二烯-1-腈作为HCN源，该反应显示出较宽的底物范围和较高的官能团耐受性。将末端苯乙烯衍生物，二烯和内部炔烃以良好的选择性转化为优异的选择性。机理研究为区域选择性的起源提供了见识。
• Thermal Rearrangement of<i>N</i>-Alkyl-, and<i>N</i>-Aryl-(2,2-dihalo-1-phenylcyclopropyl)methyleneamines to 1-Alkyl-, and 1-Aryl-2 (or 3)-halo-4-phenylpyrroles
  作者：Shinzo Kagabu、Hideaki Tsuji、Itsumi Kawai、Hitomi Ozeki

  DOI：10.1246/bcsj.68.341

  日期：1995.1

  1,3-bond cleavage. The ionic mechanism involving a heterolytic dissociation of chlorine atom under 1,3-bond scission of the cyclopropane ring is proposed for the rearrangement to 3-chloropyrroles, while a homolytic cleavage pathway is proposed for 3-fluoropyrroles. The present thermolysis supplies a unique preparative tool for 2-, and 3-halo-4-phenylpyrrole derivatives.

  Nt-烷基-和N-芳基-(2,2-二氯环丙基)亚甲基胺的热解直接产生1-t-烷基和1-芳基-3-氯吡咯作为主要产物以及少量的2-氯异构体。在极性溶剂中，向 3-氯吡咯的转化得到增强。但是碱性添加剂将热重排引导到环丙烷环的 1,2-键断裂中，从而产生 2-氯吡咯。另一方面，（二氟环丙基）亚甲基胺在 1,3-键断裂下仅被热解为 3-氟吡咯。提出了在环丙烷环的 1,3-键断裂下氯原子异裂解离的离子机制，用于重排为 3-氯吡咯，而为 3-氟吡咯提出了均裂途径。
• CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND WAFER CLEANING COMPOSITION COMPRISING AMIDOXIME COMPOUNDS AND ASSOCIATED METHOD FOR USE
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20090130849A1

  公开（公告）日：2009-05-21

  A composition and associated method for chemical mechanical planarization (or other polishing) is described. The composition contains an amidoxime compound and water. The composition may also contain an abrasive and a compound with oxidation and reduction potential. The composition is useful for attaining improved removal rates for metal, including copper, barrier material, and dielectric layer materials in metal CMP. The composition is particularly useful in conjunction with the associated method for metal CMP applications.

  本文描述了一种化学机械平整化（或其他抛光）的组合物及其相关方法。该组合物含有一种酰胺肟化合物和水。该组合物还可以含有磨料和具有氧化还原潜力的化合物。该组合物可用于在金属CMP中获得改进的金属去除速率，包括铜、屏障材料和金属CMP中的介电层材料。该组合物在金属CMP应用的相关方法中特别有用。
• METHODS OF CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICES AT THE BACK END OF LINE USING AMIDOXIME COMOSITIONS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20100043823A1

  公开（公告）日：2010-02-25

  The present invention relates to aqueous compositions comprising amidoxime compounds and methods for cleaning plasma etch residue from semiconductor substrates including such dilute aqueous solutions. The compositions of the invention may optionally contain one or more other acid compounds, one or more basic compounds, and a fluoride-containing compound and additional components such as organic solvents, chelating agents, amines, and surfactants. The invention also relates to a method of removing residue from a substrate during integrated circuit fabrication.

  本发明涉及含有酰胺肟化合物的水性组合物及其清洗半导体衬底上等离子体刻蚀残留物的方法，包括这种稀释的水性溶液。本发明的组合物可以选择性地含有一种或多种其他酸性化合物、一种或多种碱性化合物、含氟化合物和其他成分，如有机溶剂、螯合剂、胺和表面活性剂。本发明还涉及一种在集成电路制造过程中从衬底上去除残留物的方法。
• COMPOSITION COMPRISING CHELATING AGENTS CONTAINING AMIDOXIME COMPOUNDS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20100105595A1

  公开（公告）日：2010-04-29

  The present invention is a novel aqueous cleaning solution for use in semiconductor front end of the line (FEOL) manufacturing process wherein the cleaning solution comprises at least one amidoxime compound.

  本发明是一种用于半导体前端制造过程中的新型水性清洗溶液，其中清洗溶液包含至少一种酰胺肟化合物。