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2-Phenylbutan-2-yl 2-methylpropanoate | 1391911-58-2

中文名称
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中文别名
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英文名称
2-Phenylbutan-2-yl 2-methylpropanoate
英文别名
——
2-Phenylbutan-2-yl 2-methylpropanoate化学式
CAS
1391911-58-2
化学式
C14H20O2
mdl
——
分子量
220.312
InChiKey
GEGHOMSUMGQBHI-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.8
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.5
  • 拓扑面积:
    26.3
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-Phenylbutan-2-yl 2-methylpropanoate对甲苯磺酰胺二甲基乙基硅烷 、 (Ace)Ru3(CO)7 作用下, 以 二氯甲烷 为溶剂, 反应 6.0h, 以80%的产率得到N-(α-ethyl-α-methylbenzyl)-p-toluenesulfonamide
    参考文献:
    名称:
    使用酯作为伯烷基和叔烷基源的甲苯磺酰胺的N烷基化反应:由钌催化剂活化的氢硅烷介导
    摘要:
    选择您的基团:在使用氢硅烷的钌催化反应中,可以明智地选择用作烷基源的酯,将伯烷基或叔烷基选择性引入甲苯磺酰胺的氮原子上(参见方案; Ts = 4-甲苯磺酰基)。这些N烷基化反应可用于构建天然存在的氮杂环骨架。
    DOI:
    10.1002/anie.201201426
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文献信息

  • COMPOUND, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, AND PATTERN FORMATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
    申请人:FUJIFILM CORPORATION
    公开号:US20160024005A1
    公开(公告)日:2016-01-28
    There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a compound represented by the following formula (1) or (2), and the formula (1) and (2) are defined as herein, and a resist film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and a pattern forming method comprising a step of exposing the resist film, and a step of developing the exposed film, and a method for manufacturing an electronic device, comprising the pattern forming method, and an electronic device manufactured by the manufacturing method of an electronic device.
    提供了一种包含下列式子(1)或(2)所代表的化合物的光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物,其中式(1)和(2)的定义如本文所述,以及包括该光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物的光阻膜,以及包括曝光光阻膜的步骤和显影曝光膜的步骤的图案形成方法,以及包括图案形成方法的制造电子装置的方法,以及由电子装置的制造方法制造的电子装置。
  • PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, AND PATTERN-FORMING METHOD AND RESIST FILM USING THE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION
    申请人:Wada Kenji
    公开号:US20100239978A1
    公开(公告)日:2010-09-23
    A photosensitive composition containing a compound having a specific structure, a pattern-forming method using the photosensitive composition, and a compound having a specific structure used in the photosensitive composition.
    一种含有特定结构化合物的光敏组合物,使用该光敏组合物进行的图案形成方法,以及用于该光敏组合物的具有特定结构的化合物。
  • ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE AND RESIN
    申请人:FUJIFILM Corporation
    公开号:US20150132688A1
    公开(公告)日:2015-05-14
    There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising (P) a resin having (a) a repeating unit represented by the specific formula; a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition; a pattern forming method comprising (i) a step of forming a film by using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, (ii) a step of exposing the film, and (iii) a step of developing the exposed film by using a developer to form a pattern; a method for manufacturing an electronic device, comprising the pattern forming method; and an electronic device manufactured by the manufacturing method of an electronic device.
    提供了一种光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物,其中包括(P)具有(a)由特定公式表示的重复单元的树脂;使用该光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物形成的抗蚀膜;包括(i)使用该光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物形成膜的步骤,(ii)曝光膜的步骤,以及(iii)使用显影剂显影曝光的膜以形成图案的图案形成方法;一种制造电子设备的方法,包括图案形成方法;以及通过电子设备的制造方法制造的电子设备。
  • PATTERN FORMING METHOD, COMPOSITION KIT AND RESIST FILM, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE USING THEM, AND ELECTRONIC DEVICE
    申请人:FUJIFILM CORPORATION
    公开号:US20160018734A1
    公开(公告)日:2016-01-21
    There is provided a pattern forming method comprising (a) a step of forming a film on a substrate using an electron beam-sensitive or extreme ultraviolet radiation-sensitive resin composition, (b) a step of forming a top coat layer on the film using a top coat composition containing a resin (T) containing at least any one of repeating units represented by formulae (I-1) to (I-5) shown below, (c) a step of exposing the film having the top coat layer using an electron beam or an extreme ultraviolet radiation, and (d) a step of developing the film having the top coat layer after the exposure to form a pattern.
    提供了一种图案形成方法,包括以下步骤:(a)使用电子束敏感或极紫外辐射敏感的树脂组合物在基板上形成薄膜的步骤,(b)使用含有至少一个由下式(I-1)到(I-5)中所示的重复单元表示的树脂(T)的顶层涂料组成的顶层涂料层的形成步骤,(c)使用电子束或极紫外辐射照射具有顶层涂料层的薄膜的步骤,以及(d)在照射后开发具有顶层涂料层的薄膜以形成图案的步骤。
  • Pattern forming method, resist pattern, and process for producing electronic device
    申请人:FUJIFILM Corporation
    公开号:US10578968B2
    公开(公告)日:2020-03-03
    The present invention has an object to provide a pattern forming method capable of providing good DOF and EL, a resist pattern formed by the pattern forming method, and a method for manufacturing an electronic device, including the pattern forming method. The pattern forming method of the present invention includes a step a of coating an active-light-sensitive or radiation-sensitive resin composition onto a substrate to form a resist film, a step b of coating a composition for forming an upper layer film onto the resist film to form an upper layer film on the resist film, a step c of exposing the resist film having the upper layer film formed thereon, and a step d of developing the exposed resist film using a developer to form a pattern, in which the active-light-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains a hydrophobic resin.
    本发明的目的是提供一种能够提供良好的DOF和EL的图案形成方法、一种由该图案形成方法形成的抗蚀剂图案,以及一种制造电子设备的方法,包括该图案形成方法。本发明的图案形成方法包括步骤 a:在基板上涂布活性光敏或辐射敏感树脂组合物以形成抗蚀剂薄膜;步骤 b:在抗蚀剂薄膜上涂布用于形成上层薄膜的组合物以在抗蚀剂薄膜上形成上层薄膜;步骤 c:曝光形成有上层薄膜的抗蚀剂薄膜;步骤 d:使用显影剂显影曝光的抗蚀剂薄膜以形成图案,其中活性光敏或辐射敏感树脂组合物包含疏水性树脂。
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