1,4-bis((1H-tetrazol-5-yl)methyl)benzene | 66012-64-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 1,4-bis((1H-tetrazol-5-yl)methyl)benzene
• 英文别名: xylene-bis(2H-tetrazol-5-yl)；1(2)H,1'(2')H-5,5'-p-phenylenedimethyl-bis-tetrazole；5-[[4-(2H-tetrazol-5-ylmethyl)phenyl]methyl]-2H-tetrazole
• CAS: 66012-64-4
• 化学式: C₁₀H₁₀N₈
• 分子量: 242.243
• InChiKey: HWGBGIXGQZHXEY-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  587.0±60.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.475±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.9
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.2
• 拓扑面积：
  109
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,4-bis((1H-tetrazol-5-yl)methyl)benzene 、 zinc(II) chloride dihydrate 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 24.0h， 以35%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  研究双（四唑基）基配位聚合物的结构特征和光谱性质

  摘要：

  制备了发光化合物二甲苯-双（2 H-四唑-5-基）（H 2 BTZPX）并将其用于新型配位聚合物（CP）Zn（BTZPX），Ag 2（BTZPX）和Hg（ BTZPX） ，含有d 10的过渡金属离子。粉末X射线衍射（PXRD）结构测定使我们能够揭示三种CP的晶体和分子结构：而Zn（BTZPX）具有3-D聚合物网络，Ag 2（BTZPX）和Hg（BTZPX）显示二维波纹层。热重分析和可变温度PXRD表明，在Ag 2（BTZPX）的情况下，三个CP在空气中的峰值温度达到370°C时具有明显的热稳定性。鉴于配体处于固态时会发出相当大的荧光，两种H 2 BTZPX三个CP的电子态跃迁光谱特性得到了表征。紫外可见吸收揭示了配体和CP相对于间隔基主要发色团（即苯环）的吸收最大值的红移。为了理解这种特殊性，使用依赖于时间的密度泛函理论方法进行了量子力学计算。此外，记录了H 2 BTZPX在不同有机溶剂中的吸收光谱。研究如何的发光性能ħ

  DOI：

  10.1021/acs.cgd.6b01056
• 作为产物：
  描述：

  1,4-苯二乙腈 在 sodium azide 、 三乙胺盐酸盐 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 72.0h， 生成 1,4-bis((1H-tetrazol-5-yl)methyl)benzene
  参考文献：
  名称：

  Design and synthesis of two novel functional metal–organic microcapsules; an investigation into ligand expansion effects on the metal–organic microcapsules' properties

  摘要：

  配体扩展对基于四唑的金属-有机微囊的大小、形态和载荷能力的影响。

  DOI：

  10.1039/c6ra23075j

文献信息

• Metal polishing slurry and chemical mechanical polishing method
  申请人：Yoshikawa Masaru

  公开号：US20100075500A1

  公开（公告）日：2010-03-25

  The invention provides a metal polishing slurry containing a compound represented by the general formula (1): (X 1 ) n -L wherein X 1 represents a heterocycle containing at least one nitrogen atom, n represents an integer of 2 or more, and L represents a linking group having a valence of 2 or more, provided that X 1 s whose number is n may be the same or different, an oxidizer and an organic acid; and a method of chemical mechanical polishing using such slurry. The metal polishing slurry and the chemical mechanical polishing method are used in chemical mechanical polishing in the step of manufacturing semiconductor devices and enable a high polishing rate to be achieved while causing minimal dishing in polishing an object (wafer).
• US4142029A
  申请人：——

  公开号：US4142029A

  公开（公告）日：1979-02-27