2-phenyl-1,3-di-pyridin-4-yl-propan-2-ol | 3337-46-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡啶及其衍生物
• 英文名称: 2-phenyl-1,3-di-pyridin-4-yl-propan-2-ol
• 英文别名: 2-Phenyl-1,3-di-<(4)-pyridyl>-propan-2-ol；1,3-Bis-pyridyl-(4)-2-phenyl-propanol-(2)；2-Phenyl-1,3-bis-(4)-pyridyl-propanol-(2)；2-Phenyl-1,3-di-(4-pyridyl)-2-propanol；2-Phenyl-1,3-di(4-pyridyl)-2-propanol；2-phenyl-1,3-dipyridin-4-ylpropan-2-ol
• CAS: 3337-46-0
• 化学式: C₁₉H₁₈N₂O
• 分子量: 290.365
• InChiKey: PMIZVHLBVOKZLZ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  166-168 °C
• 沸点：
  447.9±40.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.185±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.7
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.16
• 拓扑面积：
  46
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

安全信息

• 海关编码：
  2933399090

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-甲基吡啶 在 lithium diisopropyl amide 、 过氧化苯甲酰 作用下， 生成 1-苯基-2-(4-吡啶)乙酮 、 1,2-双(4-吡啶基)乙烷 、 2-phenyl-1,3-di-pyridin-4-yl-propan-2-ol
  参考文献：
  名称：

  Oxidation products of 5-ethenyl-4-methyl-3-pyridinecarbonitrile and 2- and 4-methylpyridines

  摘要：

  5-乙烯基-4-甲基-3-吡啶腈1的阴离子在二苯甲酰过氧化物的处理下发生氧化偶联反应，生成1,2-双（5'-乙烯基-3'-氰基-4'-吡啶基）-乙烷2。同时也证明了2-甲基吡啶和4-甲基吡啶的阴离子也会发生氧化偶联反应。然而，在后者情况下，偶联反应伴随着对二苯甲酰过氧化物的羰基进行加成反应。加成产物已被鉴定为苯乙酰吡啶和二吡啶甲基苯醇。通过氧汞化-还原过程对1的乙烯基侧链进行了水合，将次级醇氧化成酮。保护形式下的醇和酮都是生物碱合成中潜在有用的中间体。关键词：氧化偶联，2-和4-甲基吡啶，二苯甲酰过氧化物，氧汞化-还原。

  DOI：

  10.1139/v90-090

文献信息

• WANG, JAHANGIR JIAN;SMITH, RICHARD W.;MACLEAN, DAVID B.;HOLLAND, HERBERT +, CAN. J. CHEM., 68,(1990) N, C. 587-591
  作者：WANG, JAHANGIR JIAN、SMITH, RICHARD W.、MACLEAN, DAVID B.、HOLLAND, HERBERT +

  DOI：——

  日期：——
• COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVE POLISHING OF SILICON NITRIDE MATERIALS
  申请人：Cabot Microelectronics Corporation

  公开号：EP2872585B1

  公开（公告）日：2020-09-09
• US9633863B2
  申请人：——

  公开号：US9633863B2

  公开（公告）日：2017-04-25
• [EN] COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVE POLISHING OF SILICON NITRIDE MATERIALS<br/>[FR] COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS POUR LE POLISSAGE SÉLECTIF DE MATÉRIAUX DE NITRURE DE SILICIUM
  申请人：CABOT MICROELECTRONICS CORP

  公开号：WO2014011678A1

  公开（公告）日：2014-01-16

  The present invention provides an acidic aqueous polishing composition suitable for polishing a silicon nitride-containing substrate in a chemical-mechanical polishing (CMP) process. The composition, at point of use, preferably comprises 0.01 to 2 percent by weight of at least one particulate ceria abrasive, 10 to 1000 ppm of at least one non-polymeric unsaturated nitrogen heterocycle compound, 0 to 1000 ppm of at least one cationic polymer, optionally, 0 to 2000 ppm of at least one polyoxyalkylene polymer, and an aqueous carrier therefor. The cationic polymer preferably is selected from a poly(vinylpyridine) polymer, a quaternary ammonium-substituted acrylate polymer, a quaternary ammonium-substituted methacrylate polymer, or a combination thereof. Methods of polishing substrates and of selectively removing silicon nitride from a substrate in preference to removal of polysilicon using the compositions are also provided.