[EN] DIHALIDE GERMANIUM(II) PRECURSORS FOR GERMANIUM-CONTAINING FILM DEPOSITIONS [FR] PRÉCURSEURS DE DIHALOGÉNURE DE GERMANIUM (II) UTILISÉS DANS DES DÉPÔTS DE FILMS CONTENANT DU GERMANIUM
摘要:
本文披露了GeX2-Ln分子,其中X是卤素,L是除C4H8O2之外的加合物,且0.5 ≤ n ≤ 2。这些分子与GeCl2-二氧六环相比具有更低的熔点和/或更高的挥发性。此外,还披露了利用这些分子沉积薄膜,如硫化物、SiGe和GeO2薄膜的用途。