pyrazinotetrathiafulvalene | 118148-58-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机硫化合物 - 硫醚类
• 英文名称: pyrazinotetrathiafulvalene
• 英文别名: pyra-TTF；2-(1,3-dithiol-2-ylidene)-[1,3]dithiolo[4,5-b]pyrazine
• CAS: 118148-58-6
• 化学式: C₈H₄N₂S₄
• 分子量: 256.397
• InChiKey: BWFJFGQYVXEKGO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.5
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  127
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetra-n-butylammonium tetrachlorocopper(II) complex 、 pyrazinotetrathiafulvalene 以 乙醇 为溶剂， 生成 (pyrazinotetrathiafulvalene)2[Cu(I)3Cl4(pyrazinotetrathiafulvalene)]
  参考文献：
  名称：

  在以（吡嗪并）四硫富瓦烯（pyra-TTF）为配体，[CuIICl2（pyra-TTF）]和（pyra-TTF）2 [CuI3Cl4（pyra-TTF）]的反铁磁相互作用的超分子铜配合物中的本征载流子掺杂。

  摘要：

  以吡嗪并四硫富瓦烯（pyra-TTF）为配体，[Cu（II）Cl2（pyra-TTF）]（1）和（pyra-TTF）2 [Cu（I）3Cl4（pyra-TTF）]的新型超分子铜络合物2），已通过扩散法合成。配合物1是具有三维（3-D）超分子网络的黑色块状晶体；线性链[-Cu（II）Cl2-（pyra-TTF）-] n沿b轴延伸，其中配位的pyra-TTF供体以头对尾和键合环的方式堆叠以构建二维（2-D）图纸，并且在图纸之间有C ... Cl（-）或H ... Cl（-）触点。即使电子自旋共振（ESR）测量显示出接近Cu（II）态，配合物1还是sigmaRT = 1.0 x 10（-4）S cm（-1）和Ea = 0.33 eV的半导体。高频电导率测量还证实了从Cu（II）到pyra-TTF供体的固有轻微载流子掺杂。遵循2D = -20 K的二维Heisenberg模型，这种轻微的掺杂不仅增

  DOI：

  10.1021/ic7019632
• 作为产物：
  描述：

  [1,3]dithiolo[4,5-b]pyrazine-2-one 在 lithium bromide 、 亚磷酸三乙酯 作用下， 以 六甲基磷酰三胺 为溶剂， 生成 pyrazinotetrathiafulvalene
  参考文献：
  名称：

  Papavassiliou, G.C.; Gionis, V.; Yiannopoulos, S.Y., Molecular Crystals and Liquid Crystals (1969-1991), 1988, vol. 156, p. 277 - 288

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Metallic coordination supramolecule, [Cu(i)Cl0.2Br1.3(pyra-TTF)0.5+]
  作者：Shun Ichikawa、Kazuyuki Takahashi、Masaki Matsuda、Hiroyuki Tajima、Hatsumi Mori

  DOI：10.1039/c0jm01318h

  日期：——

  A supramolecular copper complex, [Cu(I)Cl0.2Br1.3(pyra-TTF)0.5+] (4) (pyra-TTF = pyrazino-tetrathiafulvalene), was synthesized by a coordination of the assembled oxidized donor ligands as the conduction paths and the disordered mixed halide anion ligands. The one-dimensional complex 4 reveals the metallic behavior down to 190 K with a resistivity minimum at 250 K and transforms to semiconducting behavior by the CDW (charge density wave) transition at 190 K with the doubling of the donor stacking c-axis. However, the complete singlet state is prohibited by the rigid 1D copper halide framework, [CuCl0.2Br1.3]n.

  超分子铜络合物[Cu(I)Cl0.2Br1.3(pyra-TTF)0.5+] (4) (pyra-TTF = 吡嗪四硫富瓦烯)是通过将组装的氧化供体配体作为传导路径与无序混合卤化物阴离子配体进行配位而合成的。一维络合物4在190 K时显示出金属行为，电阻率在250 K时达到最小值，并在190 K时通过CDW（电荷密度波）转变转变为半导体行为，此时供体堆叠c轴加倍。然而，刚性一维铜卤化物框架[CuCl0.2Br1.3]n禁止了完全单线态。
• PAPAVASSILIOU, G. C.;MOUSDIS, G. A.;YIANNOPOULOS, S. Y.;KAKOUSSIS, V. C.;+, SYNTH. MET., 27,(1988) N-4, C. B373-B378
  作者：PAPAVASSILIOU, G. C.、MOUSDIS, G. A.、YIANNOPOULOS, S. Y.、KAKOUSSIS, V. C.、+

  DOI：——

  日期：——