| 1254354-52-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• CAS: 1254354-52-3
• 化学式: C₄₁H₇₄S₂Si
• 分子量: 659.256
• InChiKey: VHBFRFILSLFWBA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  16.28
• 重原子数：
  44.0
• 可旋转键数：
  32.0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  在 四(三苯基膦)钯 、 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  通过简单的疏松参数可预测封端寡聚噻吩的热和电性质

  摘要：

  连接到几个低聚噻吩系列上的端基的分支拓扑结构对低聚物的热和电学性质产生系统性影响。该系列以模块化方式合成，并且随着取代基体积的增加，熔点T m明显下降。对于溶液中聚集体的解离温度T dis可以发现相同的趋势。类似地，单层OFET迁移率μ FET是显著随取代基的膨松度降低。提出了一个简单的几何模型，该模型基于体积参数P定量地将转变温度和迁移率与取代基的结构相关联，从而可以预测Ť米，Ť DIS和μ FET对应尚未合成寡聚体与支化的取代基。该模型通常可用于封端的棒状共轭低聚物。

  DOI：

  10.1021/cm400702t
• 作为产物：
  描述：

  tris(decyl)(3-(thiophen-2-yl)propyl)silane 在 四(三苯基膦)钯 、 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  通过简单的疏松参数可预测封端寡聚噻吩的热和电性质

  摘要：

  连接到几个低聚噻吩系列上的端基的分支拓扑结构对低聚物的热和电学性质产生系统性影响。该系列以模块化方式合成，并且随着取代基体积的增加，熔点T m明显下降。对于溶液中聚集体的解离温度T dis可以发现相同的趋势。类似地，单层OFET迁移率μ FET是显著随取代基的膨松度降低。提出了一个简单的几何模型，该模型基于体积参数P定量地将转变温度和迁移率与取代基的结构相关联，从而可以预测Ť米，Ť DIS和μ FET对应尚未合成寡聚体与支化的取代基。该模型通常可用于封端的棒状共轭低聚物。

  DOI：

  10.1021/cm400702t

文献信息

• The Longest β-Unsubstituted Oligothiophenes and Their Self-Assembly in Solution
  作者：Andreas Kreyes、Masoud Amirkhani、Ingo Lieberwirth、Ralf Mauer、Frederic Laquai、Katharina Landfester、Ulrich Ziener

  DOI：10.1021/cm1027095

  日期：2010.12.14

  beta-Unsubstituted oligothiophenes with up to 13 thiophene units are described. These represent the longest oligomers ever reported in this class. In solution, those compounds show a temperature- and concentration-dependent aggregation behavior. Absorption, fluorescence, dynamic light scattering, and cryo-transmission electron microscopy investigations reveal the formation of wormlike aggregates several hundred nanometers in length and ca. 5 nm in width.