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[Ni{iPr2P(Se)NP(Se)iPr2}2] | 1020193-34-3

中文名称
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中文别名
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英文名称
[Ni{iPr2P(Se)NP(Se)iPr2}2]
英文别名
Ni((SeP(iPr)2)2N)2;Di(propan-2-yl)phosphinoselenoylimino-di(propan-2-yl)-selenido-lambda5-phosphane;nickel(2+);di(propan-2-yl)phosphinoselenoylimino-di(propan-2-yl)-selenido-λ5-phosphane;nickel(2+)
[Ni{iPr<sub>2</sub>P(Se)NP(Se)iPr<sub>2</sub>}<sub>2</sub>]化学式
CAS
1020193-34-3
化学式
C24H56N2NiP4Se4
mdl
——
分子量
871.147
InChiKey
DIAIWHCZAXGLJK-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    9.84
  • 重原子数:
    35
  • 可旋转键数:
    8
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    24.7
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    [Ni{iPr2P(Se)NP(Se)iPr2}2] 以 neat (no solvent, gas phase) 为溶剂, 生成 Ni0.85Se
    参考文献:
    名称:
    Ligand influence on the formation of P/Se semiconductor materials from metal–organic complexes
    摘要:
    合成了配合物 [Ni{(SePiPr2)2N}2] (1)、[Ni(Se2PiPr2)2] (2) 和 [Co(Se2PiPr2)2] (4),并确定了 (1) 和 (2) 的 X 射线单晶结构。通过化学气相沉积法,利用咪唑二硒磷酸镍(II) (1)、-钴(II) [Co{(SePiPr2)2N}2] (3)、二硒磷酸镍(II) (2)、-钴(II) (4) 和二硒氨基镍(II) [Ni(Se2CNEt2)2] (5) 以及 -钴(III) [Co(Se2CNEt2)3] (6) 前驱体沉积了镍硒化物、钴硒化物和钴磷化物的薄膜。
    DOI:
    10.1039/b802012d
  • 作为产物:
    描述:
    (SeP(iPr)2)2NLi*TMEDA 、 nickel(II) bromide dimethoxyethane 以 四氢呋喃 为溶剂, 以80%的产率得到[Ni{iPr2P(Se)NP(Se)iPr2}2]
    参考文献:
    名称:
    Ni[(EPiPr2)2N]2 Complexes: Stereoisomers (E = Se) and Square-Planar Coordination (E = Te)
    摘要:
    The reaction of ((Pr2PE)-Pr-i)(2)NM center dot TMEDA (M = Li, E = Se; M = Na, E = Te) with NiBr2 center dot DME in THF affords Ni[((SePPr2)-Pr-i)(2)N](2) as either square-planar (green) or tetrahedral (red) stereoisomers, depending on the recrystallization solvent; the Te analogue is obtained as the square-planar complex Ni[(TeP(i)pr(2))(2)N](2).
    DOI:
    10.1021/ic800272v
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文献信息

  • Factors controlling material deposition in the CVD of nickel sulfides, selenides or phosphides from dichalcogenoimidodiphosphinato complexes: deposition, spectroscopic and computational studies
    作者:Arunkumar Panneerselvam、Ganga Periyasamy、Karthik Ramasamy、Mohammad Afzaal、Mohammad A. Malik、Paul O'Brien、Neil A. Burton、John Waters、Bart E. van Dongen
    DOI:10.1039/c002928a
    日期:——
    The series of nickel dichalcogenoimidodiphosphinates [NiiPr2P(X1)NP(X2)iPr2}2]: X1 = S, X2 = Se (1), X1 = X2 = S (2), and X1 = X2 = Se (3) have been successfully used as single-source precursors (SSPs) to deposit thin films of nickel sulfide, selenide or phosphide; the material deposited depended on both temperature and method used for the deposition. Aerosol-assisted (AA) chemical vapour deposition (CVD) and low-pressure (LP) CVD were used. The as-deposited films were characterised by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). A variety of phases including: Ni2P, Ni0.85Se and NiS1.03 were deposited under different conditions. The mechanism of decomposition to the phosphide, selenide, or sulfide was studied by pyrolysis gas chromatography mass spectrometry (Py-GC-MS) and modelled by density functional theory (DFT).
    代亚酰胺二膦酸盐(NiiPr2P(X1)NP(X2)iPr2}2)系列:X1 = S、X2 = SE(1)、X1 = X2 = S(2)和X1 = X2 = SE(3)已成功用作沉积硫化镍硒化镍磷化镍薄膜的单源前驱体(SSPs);沉积的材料取决于沉积温度和沉积方法。使用了气溶胶辅助(AA化学气相沉积(CVD)和低压(LP)CVD。沉积薄膜的表征方法包括X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱(EDX)和X射线光电子能谱(XPS)。在不同的条件下沉积了多种相,包括:Ni2P、Ni0.85SE和NiS1.03。通过热解气相色谱质谱(Py-GC-MS)研究了化物、化物或硫化物的分解机理,并通过密度泛函理论(DFT)进行了建模。
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