摘要:
的[K(18-冠-6)的SiH密度泛函理论(DFT)计算3 ](1)和KSiH 3(2)表明,这两种经典TET和非经典INV的配位模式的[SiH基3 ] - K +离子的阴离子可通过能量途径获得。tet和inv衍生物[K(18-crown-6)SiH 3 ·THF](1a)和[K(18-crown-6)SiH 3 ·HSiPh 3 ](1b)的单晶X射线结构)证实了这一结论,表明金属的配位球体发生小的变化足以改变阴离子的方向。所计算的电子密度的拓扑分析1和2揭示了在具有K个···硅相互作用的tet的构象异构体2具有共价性质的显著量。相反,2的inv形式主要显示K··Si和K··H相互作用的静电特性。将18-crown-6配体掺入1会降低K +阳离子的极化能力,从而使两个构象体中的阳离子-阴离子相互作用变硬。的实验结构图1a和1b证明了这些结论,强结合的四氢呋喃(THF)配体软化了1a中的K