N,N'-bis(4-n-butylphenyl)-N,N'-bis(4-hydroxymethylphen-yl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine | 1262958-14-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: N,N'-bis(4-n-butylphenyl)-N,N'-bis(4-hydroxymethylphen-yl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine
• CAS: 1262958-14-4
• 化学式: C₄₆H₄₈N₂O₂
• 分子量: 660.899
• InChiKey: VTEKZELLRVYFAL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.96
• 重原子数：
  50.0
• 可旋转键数：
  15.0
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.22
• 拓扑面积：
  46.94
• 氢给体数：
  2.0
• 氢受体数：
  4.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N'-bis(4-n-butylphenyl)-N,N'-bis(4-hydroxymethylphen-yl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine 、 异氰酸丙基三乙氧基硅烷 在 三乙胺 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 12.0h， 以57.6%的产率得到N,N'-bis(4-n-butylphenyl)-N,N'-bis{4-[3-(triethoxysilyl)propyl]carbamoyloxymethylphenyl}-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine
  参考文献：
  名称：

  源自 Heck 和 Sol-Gel 化学的空穴注入/传输材料，用于溶液处理的有机电子器件

  摘要：

  一种有机硅酸酯聚合物，基于 N,N'-二苯基-N,N'-双(4-((E)-2-(三乙氧基甲硅烷基)乙烯基)苯基)联苯基-4,4'-二胺 (TEVS-TPD)，具有Si 原子和芳香胺之间的扩展共轭，在温和条件下通过顺序 Heck 和溶胶-凝胶化学制备，并用作聚（3,4-亚乙基二氧噻吩）：聚（苯乙烯磺酸盐）（PEDOT：PSS）的替代品，在溶液加工的有机电子器件中使用最广泛的平面化空穴注入/传输层。旋涂 TEVS-TPD 聚合物溶液产生无缺陷、均匀的薄膜，对 ITO 电极具有优异的附着力。在 180 °C 下热交联后，交联聚合物表现出优异的耐溶剂性和电化学稳定性。

  DOI：

  10.1021/ja1061517
• 作为产物：
  描述：

  N,N'-bis(p-formylphenyl)-N,N'-bis(4-n-butylphenyl)biphenyl-4,4'-diamine 在 sodium tetrahydroborate 、 sodium hydroxide 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醇 为溶剂， 反应 1.0h， 以9.37 g的产率得到N,N'-bis(4-n-butylphenyl)-N,N'-bis(4-hydroxymethylphen-yl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine
  参考文献：
  名称：

  源自 Heck 和 Sol-Gel 化学的空穴注入/传输材料，用于溶液处理的有机电子器件

  摘要：

  一种有机硅酸酯聚合物，基于 N,N'-二苯基-N,N'-双(4-((E)-2-(三乙氧基甲硅烷基)乙烯基)苯基)联苯基-4,4'-二胺 (TEVS-TPD)，具有Si 原子和芳香胺之间的扩展共轭，在温和条件下通过顺序 Heck 和溶胶-凝胶化学制备，并用作聚（3,4-亚乙基二氧噻吩）：聚（苯乙烯磺酸盐）（PEDOT：PSS）的替代品，在溶液加工的有机电子器件中使用最广泛的平面化空穴注入/传输层。旋涂 TEVS-TPD 聚合物溶液产生无缺陷、均匀的薄膜，对 ITO 电极具有优异的附着力。在 180 °C 下热交联后，交联聚合物表现出优异的耐溶剂性和电化学稳定性。

  DOI：

  10.1021/ja1061517