合成了三种具有烷氧基苯基N-取代基的新萘二酰亚胺(缩写为NBI-4- n - ORPhs,其中R =丁基,己基或辛基),并在光谱,电化学和结构上进行了表征。DFT计算预测这些化合物的电子亲和力(EA)值较高,而LUMO含量较低。这些发现得到了循环伏安法的证实,产生了实验性| EA |。约值的电离电位(IP)值在4.11–4.12 eV之间,范围在6.33–6.37 eV之间。当进行溶液处理时,所研究的半导体形成了高度有序和取向的层,其超分子组织来自为相应的单晶确定的结构。特别地,π堆叠的分子形成分子行,该分子行的堆叠方向平行于其上沉积膜的基底。通过X射线衍射研究确定,区域铸造技术特别适合于沉积具有非常好的结构均匀性,分子的所需方向和高相干长度的层。高| EA | NBI-4- n的值-ORPhs及其在层流延层中的有序超分子组织使这些新型半导体成为制造n沟道场效应晶体管(FET)的很好的候选