2-Thieno[3,2-b][1]benzothiol-2-ylthieno[3,2-b][1]benzothiole | 1161782-76-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 2-Thieno[3,2-b][1]benzothiol-2-ylthieno[3,2-b][1]benzothiole
• 英文别名: 2-thieno[3,2-b][1]benzothiol-2-ylthieno[3,2-b][1]benzothiole
• CAS: 1161782-76-8
• 化学式: C₂₀H₁₀S₄
• 分子量: 378.563
• InChiKey: LWHHJGAEECBNAL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.9
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  113
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  噻吩并苯并噻吩 在 四(三苯基膦)钯 、 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 57.17h， 生成 2-Thieno[3,2-b][1]benzothiol-2-ylthieno[3,2-b][1]benzothiole
  参考文献：
  名称：

  基于苯并噻吩并[3,2-b]噻吩（BTT）的底部接触薄膜晶体管的增强性能

  摘要：

  三种新的苯并噻吩并[3,2- b ]噻吩（BTT ; 1）衍生物，它们分别用苯基（BTT-P ; 2），苯并噻吩基（BTT-BT ; 3）和苯并噻吩并[3,2- b合成了]硫代苯基（BBTT；4；1的二聚体）并在有机薄膜晶体管（OTFT）中进行了表征。开发了一种新的，经过改进的BTT合成方法，该方法可以有效地实现基于BTT的新型半导体。BBTT的晶体结构通过单晶X射线衍射测定。在该家族中，BBTT具有最大的p通道特性，其载流子迁移率高达0.22 cm 2  V -1  s -1，电流开/关比高，是该研究中BTT衍生物最大的共轭物。底部接触/底栅OTFT器件的最大稳定度为1×10 7，并且具有良好的环境稳定性。器件特性与相应化合物的薄膜形态和微观结构相关。

  DOI：

  10.1002/chem.201204110

文献信息

• Enhanced Performance of Benzothieno[3,2-<i>b</i>]thiophene (BTT)-Based Bottom-Contact Thin-Film Transistors
  作者：Peng-Yi Huang、Liang-Hsiang Chen、Yu-Yuan Chen、Wen-Jung Chang、Juin-Jie Wang、Kwang-Hwa Lii、Jing-Yi Yan、Jia-Chong Ho、Cheng-Chung Lee、Choongik Kim、Ming-Chou Chen

  DOI：10.1002/chem.201204110

  日期：2013.3.11

  Three new benzothieno[3,2‐b]thiophene (BTT; 1) derivatives, which were end‐functionalized with phenyl (BTT‐P; 2), benzothiophenyl (BTT‐BT; 3), and benzothieno[3,2‐b]thiophenyl groups (BBTT; 4; dimer of 1), were synthesized and characterized in organic thin‐film transistors (OTFTs). A new and improved synthetic method for BTTs was developed, which enabled the efficient realization of new BTT‐based semiconductors

  三种新的苯并噻吩并[3,2- b ]噻吩（BTT ; 1）衍生物，它们分别用苯基（BTT-P ; 2），苯并噻吩基（BTT-BT ; 3）和苯并噻吩并[3,2- b合成了]硫代苯基（BBTT；4；1的二聚体）并在有机薄膜晶体管（OTFT）中进行了表征。开发了一种新的，经过改进的BTT合成方法，该方法可以有效地实现基于BTT的新型半导体。BBTT的晶体结构通过单晶X射线衍射测定。在该家族中，BBTT具有最大的p通道特性，其载流子迁移率高达0.22 cm 2  V -1  s -1，电流开/关比高，是该研究中BTT衍生物最大的共轭物。底部接触/底栅OTFT器件的最大稳定度为1×10 7，并且具有良好的环境稳定性。器件特性与相应化合物的薄膜形态和微观结构相关。