Diphenyl-trifluormethyl-arsin | 2927-99-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: Diphenyl-trifluormethyl-arsin
• 英文别名: Trifluormethyl-diphenyl-arsin；Diphenyltrifluoromethylarsine；diphenyl(trifluoromethyl)arsane
• CAS: 2927-99-3
• 化学式: C₁₃H₁₀AsF₃
• 分子量: 298.139
• InChiKey: MVCFKFUWJHCOMU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.4
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.08
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  、 、 、 二苯基碘化物 、 三氟碘甲烷 生成 Diphenyl-trifluormethyl-arsin
  参考文献：
  名称：

  Method of depositing arsine, antimony and phosphine substitutes

  摘要：

  本发明涉及至少部分氟化有机金属化合物在反应性沉积应用中的使用。更具体地，本发明涉及使用氟有机金属化合物M（CF.sub.3）.sub.3，M（CF.sub.2 CF.sub.3）.sub.3或任何M（C.sub.n F.sub.（2n+1））.sub.3-y H.sub.y化合物，其中（y≤2），M（CH.sub.2 CF.sub.3）.sub.3或任何一般公式为M（C.sub.n H.sub.[（2n+1）-x] F.sub.x）.sub.3-y H.sub.y的氟烷基有机金属化合物，其中y≤2；x的值为1≤x≤2n+1；M=As、P或Sb，在需要沉积相应元素的过程中。这些用途包括许多不同的过程；化合物半导体材料的有机金属气相外延，例如GaAs、InP、AlGaAs、InSb等；掺杂SiO.sub.2或基于硼硅酸盐的玻璃以增强玻璃的再流动性；原位n型掺杂硅外延材料；砷或磷的来源用于离子注入；化学束外延；以及扩散掺杂到电子材料，如二氧化硅、硅和多晶硅中。这些类型的材料通常具有高挥发性、低毒性、不稳定的金属配体键和稳定的分解产物。具体而言，已经确定了三三氟甲基砷（As（CF.sub.3）.sub.3）作为砷化氢的替代品，用于制造硅集成电路、III-V族化合物半导体、光电子学和其他电子器件。

  公开号：

  US04904616A1

文献信息

• Method of doping and implanting using arsine, antimony, and phosphine
  申请人：Air Products and Chemicals, Inc.

  公开号：US04988640A1

  公开（公告）日：1991-01-29

  The present invention addresses the use of at least partially fluorinated organometallic compounds in reactive deposition applications. More specifically, the present invention addresses the use of the fluoroorganometallic compounds M(CF.sub.3).sub.3, or any M(C.sub.n F.sub.(2n+1)).sub.3-y H.sub.y compound where (y.ltoreq.2), M(CH.sub.2 CF.sub.3).sub.3 or any fluoroalkyl organometallics of the general formula M(C.sub.n H.sub.[(2n+1)-x] F.sub.x).sub.3-y H.sub.y, where y.ltoreq.2; x has a value 1.ltoreq.x.ltoreq.2n+1; and M=As, P, or Sb, in processes requiring deposition of the corresponding element. These uses include a number of different processes; the organometallic vapor phase epitaxy of compound semiconductor materials such as GaAs, InP, AlGaAs, InSb, etc. doping of SiO.sub.2 or borosilicate based glasses to enhance the reflow properties of the glass; in-situ n-type doping of silicon epitaxial material; sourcing of arsenic or phosphorus for ion implantation; chemical beam epitaxy and diffusion doping into electronic materials such as silicon dioxide, silicon and polycrystalline silicon. These types of materials generally have high volatilities, low toxicities, labile metal-ligand bonds, and stable decomposition products. Specifically, the use of tris-trifluoromethyl arsenic (AS(CF.sub.3) .sub.3) as a substitute for arsine in the manufacture of silicon integrated circuits, Group III-V compound semiconductors, optoelectronics and other electronic devices has been identified.

  本发明涉及至少部分氟化有机金属化合物在反应性沉积应用中的使用。更具体地，本发明涉及使用氟有机金属化合物M（CF.sub.3）.sub.3或任何M（C.sub.n F.sub.（2n+1））.sub.3-y H.sub.y化合物，其中（y≤2），M（CH.sub.2 CF.sub.3）.sub.3或任何通式为M（C.sub.n H.sub.[（2n+1）-x] F.sub.x）.sub.3-y H.sub.y的氟烷基有机金属化合物，其中y≤2，x的值为1≤x≤2n+1，M=As，P或Sb，在需要沉积相应元素的过程中。这些用途包括许多不同的过程；化合物半导体材料的有机金属气相外延生长，如GaAs，InP，AlGaAs，InSb等，掺杂SiO.sub.2或基于硼硅酸盐的玻璃以增强玻璃的流动性；原位n型掺杂硅外延材料；砷或磷的源用于离子注入；化学束外延和扩散掺杂到电子材料，如二氧化硅，硅和多晶硅。这些类型的材料通常具有高挥发性，低毒性，易变的金属配位键和稳定的分解产物。具体而言，已确定使用三三氟甲基砷（AS（CF.sub.3）.sub.3）替代砷化氢在制造硅集成电路，III-V族化合物半导体，光电子和其他电子器件中的应用。
• Amino replacements for arsine, antimony and phosphine
  申请人：Air Products and Chemicals, Inc.

  公开号：US05124278A1

  公开（公告）日：1992-06-23

  The present invention addresses the use of metalorganic amines as metallic donor source compounds in reactive deposition applications. More specifically, the present invention addresses the use of the amino-substituted metallic donor source compounds M(NR.sub.2).sub.3-x H.sub.x, where R is organic, alkyl or fluoroalkyl, and x is less than or equal to 2, and M=As, Sb or P, in processes requiring deposition of the corresponding element. These uses include a number of different processes; the metalorganic vapor phase epitaxy of compound semiconductor material such as GaAs, InP, AlGaAs, etc.; doping of SiO.sub.2 or borosilicate based glasses to enhance the reflow properties of the glass; in-situ n-type doping of silicon epitaxial material; sourcing of arsenic or phosphorus for ion implantation; chemical beam epitaxy (or MOMBE); and diffusion doping into electronic materials such as silicon dioxide, silicon and polycrystalline silcon. These types of materials generally have high volatilities, low toxicities, labile metal-ligand bonds, and stable decomposition products. Specifically, the use of tris(dialkylamino) arsenic (As(NR.sub.2).sub.3) as a substitute for arsine in the manufacture of silicon integrated circuits, Group III-V compound semiconductors, optoelectronics and other electronic devices has been identified.

  本发明涉及在反应性沉积应用中使用金属有机胺作为金属供体源化合物。更具体地，本发明涉及使用带有氨基的金属供体源化合物M(NR.sub.2).sub.3-x H.sub.x，其中R为有机基、烷基或氟烷基，x小于或等于2，M=As、Sb或P，在需要沉积相应元素的过程中使用。这些用途包括许多不同的过程；化合物半导体材料的金属有机气相外延，例如GaAs、InP、AlGaAs等；掺杂SiO.sub.2或硼硅酸盐基玻璃，以提高玻璃的回流性能；原位n型掺杂硅外延材料；用于离子注入的砷或磷的来源；化学束外延（或MOMBE）；以及扩散掺杂到电子材料中，例如二氧化硅、硅和多晶硅。这些类型的材料通常具有高挥发性、低毒性、不稳定的金属配体键以及稳定的分解产物。具体而言，已经确定使用三(二烷基氨基)砷(As(NR.sub.2).sub.3)代替砷化氢在制造硅集成电路、III-V族化合物半导体、光电子和其他电子设备中的应用。