3-(3-thienylthio)thieno<3,2-b>thiophene | 125493-07-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机硫化合物 - 硫醚类
• 英文名称: 3-(3-thienylthio)thieno<3,2-b>thiophene
• 英文别名: 6-Thiophen-3-ylsulfanylthieno[3,2-b]thiophene
• CAS: 125493-07-4
• 化学式: C₁₀H₆S₄
• 分子量: 254.422
• InChiKey: DDIALGTZORXKQC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.5
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  110
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-(3-thienylthio)thieno<3,2-b>thiophene 在 正丁基锂 、 copper dichloride 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 并四噻吩
  参考文献：
  名称：

  新型四硫杂并苯衍生物的合成，表征及有机场效应晶体管的应用

  摘要：

  两种新颖的有机半导体，以四硫杂并苯（TTA）为中心核，末端被5-己基-2-噻吩（Hex-T）2 -TTA和4-己基苯基（Hex-Ph）2 -TTA封端，已经对有机场效应晶体管（OFET）应用进行了合成和研究。通过热重分析，差示扫描量热法，紫外可见光谱和循环伏安法对新型TTA衍生物进行表征，并通过密度泛函理论计算进行了研究。制备并表征了具有溶液和真空沉积活性层的两种类型的OFET。两种TTA衍生物均在OFET中表现出电致发光，而（Hex-Ph）2 -TTA则表现出双极性电荷传输，空穴迁移率高达0.68 cm 2 V -1 s -1。

  DOI：

  10.1016/j.dyepig.2020.108911
• 作为产物：
  描述：

  6-溴噻吩并[3,2-B]噻吩-2-甲酸 在 喹啉 、 正丁基锂 、 铜 作用下， 以 N-甲基吡咯烷酮 为溶剂， 生成 3-(3-thienylthio)thieno<3,2-b>thiophene
  参考文献：
  名称：

  新型四硫杂并苯衍生物的合成，表征及有机场效应晶体管的应用

  摘要：

  两种新颖的有机半导体，以四硫杂并苯（TTA）为中心核，末端被5-己基-2-噻吩（Hex-T）2 -TTA和4-己基苯基（Hex-Ph）2 -TTA封端，已经对有机场效应晶体管（OFET）应用进行了合成和研究。通过热重分析，差示扫描量热法，紫外可见光谱和循环伏安法对新型TTA衍生物进行表征，并通过密度泛函理论计算进行了研究。制备并表征了具有溶液和真空沉积活性层的两种类型的OFET。两种TTA衍生物均在OFET中表现出电致发光，而（Hex-Ph）2 -TTA则表现出双极性电荷传输，空穴迁移率高达0.68 cm 2 V -1 s -1。

  DOI：

  10.1016/j.dyepig.2020.108911

文献信息

• Synthesis of tetrathieno-acene and pentathieno-acene: UV-spectral trend in a homologous series of thieno-acenes
  作者：Yasuhiro Mazaki、Keiji Kobayashi

  DOI：10.1016/s0040-4039(00)99231-1

  日期：1989.1
• Linearly condensed polythiophenes: characteristic molecular aggregation of thieno[2″,3″:4′,5′]thieno[2′,3′-d]thieno[3,2-b]thiophene crystals revealed by ultraviolet photoelectron spectroscopy
  作者：Naoki Sato、Yasuhiro Mazaki、Keiji Kobayashi、Tsunetoshi Kobayashi

  DOI：10.1039/p29920000765

  日期：——

  Linearly-condensed polythiophenes (4 and 5) have been prepared and their characteristic aggregation behaviour as hydrogen-poor pi-compounds in the solid state has been investigated in comparison with those of the lower homologues (2 and 3); the photoelectron spectra of the series 2-5 were measured in the solid state as well as in the gas phase. For 4 the difference in the ionization energies for the gaseous (adiabatic; 7.22 eV) and solid (threshold; 4.86 eV) states is significant, giving rise to a large polarization energy (2.36 eV), which is larger than the calculated value (1.83 eV) based on the packing density and molecular polarizability. This has been interpreted in terms of the intermolecular orbital interactions in the solid state of 4. Such an interaction has not been observed in the lower homologues (2 and 3).
• Kobayashi, Keiji, Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1989, vol. 43, # 1-2, p. 187 - 208
  作者：Kobayashi, Keiji

  DOI：——

  日期：——
• MAZAKI, YASUHIRO;KOBAYASHI, KEIJI, TETRAHEDRON LETT., 30,(1989) N5, C. 3315-3318
  作者：MAZAKI, YASUHIRO、KOBAYASHI, KEIJI

  DOI：——

  日期：——