Versatile α,ω-Disubstituted Tetrathienoacene Semiconductors for High Performance Organic Thin-Film Transistors
作者:Jangdae Youn、Peng-Yi Huang、Yu-Wen Huang、Ming-Chou Chen、Yu-Jou Lin、Hui Huang、Rocio Ponce Ortiz、Charlotte Stern、Ming-Che Chung、Chieh-Yuan Feng、Liang-Hsiang Chen、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks
DOI:10.1002/adfm.201101053
日期:2012.1.11
Facile one‐pot [1 + 1 + 2] and [2 + 1 + 1] syntheses of thieno[3,2‐b]thieno[2′,3′:4,5]thieno[2,3‐d]thiophene (tetrathienoacene; TTA) semiconductors are described which enable the efficient realization of a new TTA‐based series for organic thin‐film transistors (OTFTs). For the perfluorophenyl end‐functionalized derivative DFP‐TTA, the molecular structure is determined by single‐crystal X‐ray diffraction
噻吩[3,2- b ]噻吩[2',3':4,5]噻吩[2,3- d ]噻吩的简便的一锅[1 +1 + 2]和[2 +1 + 1]合成(四硫杂ac烯; TTA)半导体被描述为能够有效实现基于TTA的有机薄膜晶体管(OTFT)新系列。对于全氟苯基末端官能化的衍生物DFP-TTA,其分子结构由单晶X射线衍射确定。该材料具有n沟道传输,迁移率高达0.30 cm 2 V -1 s -1,开/关比高,为1.8×10 7。因此,DFP-TTA具有迄今未发现的任何熔融噻吩半导体中最高的电子迁移率之一。对于苯基取代的类似物DP-TTA,观察到p通道迁移的迁移率高达0.21 cm 2 V -1 s -1。对于含有2-苯并噻唑基(BS-)的衍生物DBS-TTA,p通道传输仍然表现为空穴迁移率接近2×10 -3 cm 2 V -1 s -1。在这个族中,载流子迁移率的大小很大程度上取决于半导体的生长条件和栅极电介质表面处理。