对原型
铬卟啉络合物 Cr IV [
TMP]O ( 2 ) 和 Cr V [TPC]O ( 3 ) 进行了 Cr K-edge XAS 和 DFT 计算的组合,并将结果与参考化合物 Cr 进行了比较III [
TPP]Cl ( 1 ),其中
TPP 2-、
TMP 2-和TPC 3-分别是内消旋
四苯基卟啉、内消旋四苯
卟啉和内消旋三苯基
卟啉的阴离子。1(5990.9 eV)、2(5992.0 eV)和3中的强度加权平均能量位置(5992.6 eV)与沿系列增加
金属氧化态一致。EXAFS 和2和3的理论分析表明,尽管3中的结构相似且氧化态增加,但3中的 Cr-O 键相对于2更长且更弱。这也反映在对 Cr K-pre-edge 过渡的比较中。两种羰基配合物的强度大约增加了 20 倍,这对于其他第一行过渡
金属来说并不令人惊讶,而且是先例。然而,尽管3具有更大的整体强度,但沿 Cr-O 键的跃迁强度更大。EXAFS、DFT