4-({para-[(trimethylsilyl)ethynyl]phenyl}ethynyl)[2.2]paracyclophane | 903501-32-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物
• 英文名称: 4-({para-[(trimethylsilyl)ethynyl]phenyl}ethynyl)[2.2]paracyclophane
• CAS: 903501-32-6
• 化学式: C₂₉H₂₈Si
• 分子量: 404.627
• InChiKey: HTISMEIUTQYJGE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.2
• 重原子数：
  30.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.24
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-({para-[(trimethylsilyl)ethynyl]phenyl}ethynyl)[2.2]paracyclophane 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide 四丁基氟化铵 、 三乙胺 、 三苯基膦 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 30.0h， 生成 para-{[para-({para-[[2.2]paracyclophan-4-ylethynyl]phenyl}ethynyl)phenyl]ethynyl}aniline
  参考文献：
  名称：

  [2.2]并入聚（3-丁基噻吩）的环芳烃：合成与光电性能

  摘要：

  描述了在线性侧链中含有共轭炔三键的[2.2]对环环烷的合成和光电性能。这些化合物作为电活性组分掺入导电聚合物（即聚（3-丁基噻吩））中。共混物显示出比纯聚合物高的光电响应。令人惊讶地发现，在共混物的制备过程中施加电偏压导致光电流增加。

  DOI：

  10.1039/b601535b
• 作为产物：
  描述：

  (4-碘苯基乙炔)三甲基硅烷 、 4-ethynyl-[2.2]-p-cyclophane 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide 三乙胺 、 三苯基膦 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 15.0h， 以78%的产率得到4-({para-[(trimethylsilyl)ethynyl]phenyl}ethynyl)[2.2]paracyclophane
  参考文献：
  名称：

  [2.2]并入聚（3-丁基噻吩）的环芳烃：合成与光电性能

  摘要：

  描述了在线性侧链中含有共轭炔三键的[2.2]对环环烷的合成和光电性能。这些化合物作为电活性组分掺入导电聚合物（即聚（3-丁基噻吩））中。共混物显示出比纯聚合物高的光电响应。令人惊讶地发现，在共混物的制备过程中施加电偏压导致光电流增加。

  DOI：

  10.1039/b601535b

文献信息

• Patterning of [2.2]paracyclophane derivative modified single-walled carbon nanotubes through grid-assisted deposition
  作者：Luca Valentini、Aldo Taticchi、Assunta Marrocchi、Josè M. Kenny

  DOI：10.1039/b713964k

  日期：——

  We describe a method to selectively position single-walled carbon nanotubes (SWNTs) modified with a [2.2]paracyclophane derivative (PCP) containing conjugated acetylenic triple bonds in the linear side-chain on fluorine doped tin oxide (FTO)/glass substrates. The method exploits the use of metallic grids as masks put on electrically biased FTO surfaces with PCP moieties positioned in between. The application of the voltage forces the PCP moieties to repel the holes filling the grid bars while PCP modified SWNTs were patterned as the holes.

  我们描述了一种选择性定位单壁碳纳米管（SWNT）的方法，该单壁碳纳米管（SWNT）用[2.2]对环芳烷衍生物（PCP）修饰，线性侧链中含有共轭炔三键，位于氟掺杂氧化锡（FTO）/玻璃基板上。该方法利用金属网格作为掩模，放置在电偏置的 FTO 表面上，PCP 部分位于其间。施加电压迫使 PCP 部分排斥填充网格条的孔，同时 PCP 修饰的 SWNT 被图案化为孔。