triphenylsulfonium 4-(methacryloyloxy)-2-(trifluoromethyl)benzenesulfonate | 1120325-84-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚酯
• 英文名称: triphenylsulfonium 4-(methacryloyloxy)-2-(trifluoromethyl)benzenesulfonate
• CAS: 1120325-84-9
• 化学式: C₁₁H₈F₃O₅S*C₁₈H₁₅S
• 分子量: 572.626
• InChiKey: ZHQAMAKAECQDBI-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.87
• 重原子数：
  39.0
• 可旋转键数：
  6.0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.07
• 拓扑面积：
  83.5
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  5.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  甲基丙烯酸 、 间三氟甲基苯酚 、 氯化三苯基硫 在 硫酸 、 三氧化硫 、 sodium chloride 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 49.0h， 生成 triphenylsulfonium 4-(methacryloyloxy)-2-(trifluoromethyl)benzenesulfonate 、 triphenylsulfonium 2-(methacryloyloxy)-4-(trifluoromethyl)benzenesulfonate
  参考文献：
  名称：

  含氟光致产酸剂及其制备方法与应用

  摘要：

  本发明公开一种含氟光致产酸剂，涉及光敏树脂合成技术领域，含氟光致产酸剂包括结构式E、结构式F所示的化合物中的一种或两种，或所述含氟光致产酸剂的结构式为结构式E或结构式F如下：本发明还提供上述本发明的含氟光致产酸剂的制备方法及应用。本发明的有益效果在于：本发明的含氟光致产酸剂及其光敏树脂在193nm处具有低吸收，较高的光学透明性；具有较高的热稳定性能。将产酸剂接枝到聚合物主链上与其他功能性的单体进行共聚，可以有效的降低相分离，防止产酸剂产生的H+向未曝光区域扩散，降低LER，提高感光度和分辨率，同时也具有较低的气体排放的优点。

  公开号：

  CN113548988A

文献信息

• Fluorine-contained photoacid generators (PAGs) and corresponding polymer resists
  作者：Mingxing Wang、Wang Yueh、Kenneth E. Gonsalves

  DOI：10.1016/j.jfluchem.2008.04.014

  日期：2008.7

  A new series of fluorinated anionic photoacid generators (PACs) (F4-MBS-TPS, F4VBzBS-TPS, F4-IBBS-TPS, CF3 MBS-TPS, MTFBS-TPS and VBzTFBS-TPS), and corresponding PAG bound polymeric resists (HS-EA-PAG) based on hydroxystyrene (HOST) and 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate (EA), (GB-EA-PAG) based on gamma-butyrolactone methacrylate (GBLMA) and 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate (EA) were prepared and characterized. The acid generating efficiency of PAG bound polymers (HS-EA-PAG) series was in the range of 54-81%, which agrees well with the electron withdrawing effect of the substituents. With regard to the referenced F4-PAG bound polymer with 68% acid generating efficiency, and our previously reported EUVL results of F4-MBS-TPS bound polymer photoresists, these new PAG bound polymers should be effective resists for 193 nm or EUV lithography. (c) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.