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naphthalene-1,8-diethanol | 130999-95-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
naphthalene-1,8-diethanol
英文别名
2-[8-(2-Hydroxyethyl)naphthalen-1-yl]ethanol
naphthalene-1,8-diethanol化学式
CAS
130999-95-0
化学式
C14H16O2
mdl
——
分子量
216.28
InChiKey
NTAAJJCJYRBUBY-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
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  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    414.3±25.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.174±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.3
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.29
  • 拓扑面积:
    40.5
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    naphthalene-1,8-diethanol咪唑三苯基膦 作用下, 以 二氯甲烷 为溶剂, 反应 6.0h, 以37%的产率得到
    参考文献:
    名称:
    单分子结中 Si-Si 键断裂的机制
    摘要:
    化学键的稳定性可以通过在施加电压下破坏单分子结来进行实验研究。在这里,我们比较了两个 Si-Si 主链中电压引起的键断裂:一个没有替代的导电通路,而另一个包含与 Si-Si 键平行的额外萘基通路。我们表明,与第一个系统相比,当使用外加电压使 Si-Si 键断裂时,第二个系统可以通过萘基进行导电。我们通过从头算密度泛函理论计算和分子动力学模拟来研究这种电压引起的 Si-Si 键断裂,最终证明隧道电子对分子振动模式的激发导致均裂 Si-Si 键断裂。
    DOI:
    10.1021/jacs.6b10700
  • 作为产物:
    描述:
    1,8-萘二甲醇吡啶 、 sodium tetrahydroborate 、 2-甲基-2-丁烯三氟化硼乙醚三溴化磷 、 sodium amide 作用下, 以 四氢呋喃乙醚N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 1.0h, 生成 naphthalene-1,8-diethanol
    参考文献:
    名称:
    Oligosaccharide Analogues of Polysaccharides, Part 19, Synthesis of 2-(Naphthalen-1-yl)ethyl Cellooligoglycosides and [(Naphthalene-1,8-diyl)di(ethane-2,1-diyl)] Bis[cellooligoglycosides]
    摘要:
    DOI:
    10.1002/(sici)1522-2675(19991006)82:10<1728::aid-hlca1728>3.0.co;2-a
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文献信息

  • KAMATA, TOSIXIRO;VASADA, NOBUXIDEH
    作者:KAMATA, TOSIXIRO、VASADA, NOBUXIDEH
    DOI:——
    日期:——
  • JPH02204469A
    申请人:——
    公开号:JPH02204469A
    公开(公告)日:1990-08-14
  • JPH02258734A
    申请人:——
    公开号:JPH02258734A
    公开(公告)日:1990-10-19
  • Oligosaccharide Analogues of Polysaccharides, Part 19, Synthesis of 2-(Naphthalen-1-yl)ethyl Cellooligoglycosides and [(Naphthalene-1,8-diyl)di(ethane-2,1-diyl)] Bis[cellooligoglycosides]
    作者:Jinwang Xu、Andrea Vasella
    DOI:10.1002/(sici)1522-2675(19991006)82:10<1728::aid-hlca1728>3.0.co;2-a
    日期:1999.10.6
  • Mechanism for Si–Si Bond Rupture in Single Molecule Junctions
    作者:Haixing Li、Nathaniel T. Kim、Timothy A. Su、Michael L. Steigerwald、Colin Nuckolls、Pierre Darancet、James L. Leighton、Latha Venkataraman
    DOI:10.1021/jacs.6b10700
    日期:2016.12.14
    experimentally by rupturing single molecule junctions under applied voltage. Here, we compare voltage-induced bond rupture in two Si-Si backbones: one has no alternate conductive pathway whereas the other contains an additional naphthyl pathway in parallel to the Si-Si bond. We show that in contrast to the first system, the second can conduct through the naphthyl group when the Si-Si bond is ruptured using an applied
    化学键的稳定性可以通过在施加电压下破坏单分子结来进行实验研究。在这里,我们比较了两个 Si-Si 主链中电压引起的键断裂:一个没有替代的导电通路,而另一个包含与 Si-Si 键平行的额外萘基通路。我们表明,与第一个系统相比,当使用外加电压使 Si-Si 键断裂时,第二个系统可以通过萘基进行导电。我们通过从头算密度泛函理论计算和分子动力学模拟来研究这种电压引起的 Si-Si 键断裂,最终证明隧道电子对分子振动模式的激发导致均裂 Si-Si 键断裂。
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