作者:Haixing Li、Nathaniel T. Kim、Timothy A. Su、Michael L. Steigerwald、Colin Nuckolls、Pierre Darancet、James L. Leighton、Latha Venkataraman
DOI:10.1021/jacs.6b10700
日期:2016.12.14
experimentally by rupturing single molecule junctions under applied voltage. Here, we compare voltage-induced bond rupture in two Si-Si backbones: one has no alternate conductive pathway whereas the other contains an additional naphthyl pathway in parallel to the Si-Si bond. We show that in contrast to the first system, the second can conduct through the naphthyl group when the Si-Si bond is ruptured using an applied
化学键的稳定性可以通过在施加电压下破坏单分子结来进行实验研究。在这里,我们比较了两个 Si-Si 主链中电压引起的键断裂:一个没有替代的导电通路,而另一个包含与 Si-Si 键平行的额外萘基通路。我们表明,与第一个系统相比,当使用外加电压使 Si-Si 键断裂时,第二个系统可以通过萘基进行导电。我们通过从头算密度泛函理论计算和分子动力学模拟来研究这种电压引起的 Si-Si 键断裂,最终证明隧道电子对分子振动模式的激发导致均裂 Si-Si 键断裂。