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N-propyl-4-(propylimino)-2-pentene-2-amine | 1073491-05-0

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
N-propyl-4-(propylimino)-2-pentene-2-amine
英文别名
N-propyl-4-propyliminopent-2-en-2-amine
N-propyl-4-(propylimino)-2-pentene-2-amine化学式
CAS
1073491-05-0
化学式
C11H22N2
mdl
——
分子量
182.309
InChiKey
UUNSWGLXWWCMRB-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.4
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.73
  • 拓扑面积:
    24.4
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    Co[1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane]2(thf) 、 N-propyl-4-(propylimino)-2-pentene-2-amine正己烷 为溶剂, 反应 19.0h, 以17%的产率得到[N-propyl-4-(propylimino)pent-2-ene-2-amino][bis(trimethylsilyl)amino] cobalt
    参考文献:
    名称:
    COBALT COMPLEX, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING COBALT-CONTAINING THIN FILM
    摘要:
    提供一种在室温下为液体的钴配合物,可用于在不使用氧化气体的条件下制备含钴薄膜。 由以下式(1)表示的钴配合物: L1-Co-L2(1) 其中L1和L2表示以下式(A)的单齿酰胺配体,以下式(B)的双齿酰胺配体或以下式(C)的含杂原子配体: 其中R1和R2表示C1-6烷基或三(C1-6烷基)硅基团,波浪线表示与钴原子的结合位点; 其中R3表示三(C1-6烷基)硅基团,R4和R5表示C1-4烷基,X表示C1-6亚烷基团; 其中R6和R8表示C1-6烷基,R7表示氢原子或C1-4烷基,Y表示氧原子或NR9,Z表示氧原子或NR10,R9和R10独立表示C1-6烷基。
    公开号:
    US20220017553A1
  • 作为产物:
    描述:
    正丙胺4-(propylamino)penten-2-one硫酸二甲酯sodium methylate 作用下, 以 甲醇 为溶剂, 反应 2.0h, 以79%的产率得到N-propyl-4-(propylimino)-2-pentene-2-amine
    参考文献:
    名称:
    Efficient Synthesis of Alkyl β-Diketimines
    摘要:
    A general synthesis for the preparation of alkyl N,N'-beta-diketimines has been developed. The method reported here demonstrates the use of dimethyl sulfate for conversion of enaminoketones to beta-diketimines. The reaction can be performed without solvent, providing good yields.
    DOI:
    10.1021/jo801691m
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文献信息

  • Synthesis, characterization, and properties of silicon (IV) compounds containing <i>N,N'</i>-symmetrically alkyl substituted 1,3-diketimine ligands and their potential as CVD precursor material
    作者:Liyong Du、Wenxiang Chu、Yuqiang Ding
    DOI:10.1080/10426507.2017.1358718
    日期:2017.11.2
    family of silicon (IV) compounds containing N,N'-symmetrically alkyl substituted 1,3-diketimine ligands as chemical vapor deposition (CVD) precursors for silicon-based films has been reported and characterized by 1H, 13C, and 29Si NMR, EI-MS and elemental analysis where necessary. The compounds were synthesized by reaction of corresponding lithium salt of the diketimine ligands and SiMe3Cl according
    图形摘要 摘要 含有 N,N'-对称烷基取代的 1,3-二酮亚胺配体 (IV) 化合物家族作为基薄膜的化学气相沉积 (CVD) 前体已被报道,并通过 1H、13C 和必要时进行 29Si NMR、EI-MS 和元素分析。根据一般程序,通过相应的二酮亚胺配体盐和SiMe3Cl反应合成化合物。进行了理论模拟以了解它们的结构。通过同步热分析 (STA) 评估热稳定性、传输行为和蒸汽压。化学气相沉积在热壁 CVD 反应器系统中完成,以进一步证明这些化合物作为 CVD 前体的能力。
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