1,2-bis(2-(5-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2"-terthien-5"-yl)-1,3-dioxolan-2-yl)ethane | 1209469-44-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 1,2-bis(2-(5-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2"-terthien-5"-yl)-1,3-dioxolan-2-yl)ethane
• CAS: 1209469-44-2
• 化学式: C₇₄H₁₁₄O₄S₆Si₂
• 分子量: 1316.28
• InChiKey: DKNDLWCBJIUEMK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  26.56
• 重原子数：
  86.0
• 可旋转键数：
  45.0
• 环数：
  8.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.68
• 拓扑面积：
  36.92
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  10.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,2-bis(2-(5-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2"-terthien-5"-yl)-1,3-dioxolan-2-yl)ethane 在 盐酸 、 水 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 20.0h， 以92%的产率得到1,4-bis(5-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2"-terthien-5"-yl)-butane-1,4-dione
  参考文献：
  名称：

  通过裁定取代基精细调整Septithiophenes的固态性质

  摘要：

  提出了一系列五个α，ω-取代的噻吩并在外围分支的烷基取代基的几何形状上不同。支化点的位置对低聚物的溶解度和熔点具有实质性影响。相反，由这些材料通过气相沉积制备的有机场效应晶体管（OFET）的所有迁移率都在相同的范围内（0.18-0.018 cm 2  V -1  s -1）。迁移率在分子结构上的相对不敏感性归因于如下事实：如依赖温度的X射线衍射所揭示的，在室温下，固态条件下所有Septithiophenes都形成近晶状结构。此外，五个低聚物中的四个表现出热致液晶近晶C相。噻吩核之间的强相互作用被认为是这些结构特征的驱动力。因此，调整外围取代基使得可以在固态条件下微调热和溶解性特性，并且在一定程度上微调其有序性。有序和电性能主要由低聚噻吩核的长度决定。

  DOI：

  10.1021/cm903444n
• 作为产物：
  描述：

  2,2-(ethane-1,2-diyl)bis[2-(5-bromothiophen-2-yl)-1,3-dioxolane] 、 5-trimethylstannyl-5'-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2'-bithiophene 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 20.0h， 以44%的产率得到1,2-bis(2-(5-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2"-terthien-5"-yl)-1,3-dioxolan-2-yl)ethane
  参考文献：
  名称：

  通过裁定取代基精细调整Septithiophenes的固态性质

  摘要：

  提出了一系列五个α，ω-取代的噻吩并在外围分支的烷基取代基的几何形状上不同。支化点的位置对低聚物的溶解度和熔点具有实质性影响。相反，由这些材料通过气相沉积制备的有机场效应晶体管（OFET）的所有迁移率都在相同的范围内（0.18-0.018 cm 2  V -1  s -1）。迁移率在分子结构上的相对不敏感性归因于如下事实：如依赖温度的X射线衍射所揭示的，在室温下，固态条件下所有Septithiophenes都形成近晶状结构。此外，五个低聚物中的四个表现出热致液晶近晶C相。噻吩核之间的强相互作用被认为是这些结构特征的驱动力。因此，调整外围取代基使得可以在固态条件下微调热和溶解性特性，并且在一定程度上微调其有序性。有序和电性能主要由低聚噻吩核的长度决定。

  DOI：

  10.1021/cm903444n