摘要:
摘要 合成了一种新的分子导体 ( n -Bu 4 N)[Ni(dmit) 2 ] 4 ·MeCN (dmit = 2-thioxo-1,3-dithiole-4,5-dithiolato) 及其 X 射线结构已经确定。该晶体在室温下表现出 0.1 Ω -1 cm -1 的电导率和具有 0.170 eV(在 295 K)和 0.065 eV(在 95 K)的小活化能的半导体行为。配位阴离子在晶体中以平行方式排列,形成二维网络,其中面对面的 π - π 纵向分子间相互作用强于并排的 S⋯S 横向相互作用。沿 b 方向的阴离子堆叠表现出一种四分体结构。红外光谱表明四分体{4[Ni(dmit) 2 ]} - 可能由一个单阴离子[Ni(dmit) 2 ] - 和三个中性[Ni(dmit) 2 ] 单元组成。