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| 1446317-12-9

中文名称
——
中文别名
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英文名称
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英文别名
——
化学式
CAS
1446317-12-9
化学式
C40H40O7
mdl
——
分子量
632.753
InChiKey
YECFIITWTUPYHQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    13.09
  • 重原子数:
    47.0
  • 可旋转键数:
    16.0
  • 环数:
    7.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.3
  • 拓扑面积:
    91.98
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    7.0

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    tributyl(5'-hexyl-[2,2'-bifuran]-5-yl)stannane5,5''-Dibromo-2,2':5',2''-terfuran四(三苯基膦)钯 作用下, 以 甲苯 为溶剂, 反应 5.0h, 以39%的产率得到
    参考文献:
    名称:
    Oligofuran-containing molecules for organic electronics
    摘要:
    我们介绍了一系列呋喃基共轭低聚物的合成、表征和场效应晶体管 (FET) 特性,如未取代的、己基和苯乙烯基封端线性低聚呋喃以及低聚呋喃取代的蒽衍生物。所有研究的低聚呋喃都具有高荧光和良好的热稳定性。以低聚呋喃为活性层制造的顶接触有机场效应晶体管(OFET)的空穴迁移率(0.01 至 0.07 cm2 V-1 s-1)和导通/截止比(104 至 106)与相应的低聚噻吩类似物相当,而与低聚噻吩相比,由于低聚呋喃的 HOMO 能量较高,其阈值电压显著降低。在底部接触几何中观察到的低聚呋喃基 OFET 的电致发光受到电子注入的限制。总之,我们发现呋喃结构单元是替代光电材料中噻吩的绝佳候选物质。
    DOI:
    10.1039/c3tc00079f
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