摘要:
我们介绍了一系列呋喃基共轭低聚物的合成、表征和场效应晶体管 (FET) 特性,如未取代的、己基和苯乙烯基封端线性低聚呋喃以及低聚呋喃取代的蒽衍生物。所有研究的低聚呋喃都具有高荧光和良好的热稳定性。以低聚呋喃为活性层制造的顶接触有机场效应晶体管(OFET)的空穴迁移率(0.01 至 0.07 cm2 V-1 s-1)和导通/截止比(104 至 106)与相应的低聚噻吩类似物相当,而与低聚噻吩相比,由于低聚呋喃的 HOMO 能量较高,其阈值电压显著降低。在底部接触几何中观察到的低聚呋喃基 OFET 的电致发光受到电子注入的限制。总之,我们发现呋喃结构单元是替代光电材料中噻吩的绝佳候选物质。