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2-Iodo-5-[5-[5-(5-iodothiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene | 198142-84-6

中文名称
——
中文别名
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英文名称
2-Iodo-5-[5-[5-(5-iodothiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene
英文别名
——
2-Iodo-5-[5-[5-(5-iodothiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene化学式
CAS
198142-84-6
化学式
C16H8I2S4
mdl
——
分子量
582.313
InChiKey
UQIMSFURBBZROI-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    7.1
  • 重原子数:
    22
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    113
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    三(三甲基硅基)硅烷2-Iodo-5-[5-[5-(5-iodothiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene二(三叔丁基膦)钯N,N-二异丙基乙胺 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 72.0h, 以8%的产率得到5,5‴-bis(1,1,1,3,3,3-hexamethyl-2-(trimethylsilyl)trisilan-2-yl)-2,2′:5′,2″:5″,2‴-quaterthiophene
    参考文献:
    名称:
    三(三甲基甲硅烷基)甲硅烷基化的低聚噻吩衍生物的结构和光学性质
    摘要:
    三(三甲基甲硅烷基)甲硅烷基化的低聚噻吩的结构和光学性质通过光谱学,理论计算和单晶X射线测量进行了检查。在三(三甲基甲硅烷基)甲硅烷基化的寡聚噻吩中发现了从原始的低聚噻吩的红移,这证实了Si-Siσ键与π轨道之间的σ-π共轭。5,5'-双(三(三甲基硅烷基)甲硅烷基)-2,2'-联噻吩(硅-T 2)显示出最高的荧光量子产率(Φ ˚F)无论是在溶液中(0.67,在350nm处激发)和实状态(0.74,在371 nm激发)。引入导致的小的非辐射率恒定三(三甲硅烷基)甲硅烷基的Si-T 2,从而导致在高Φ ˚F在解决方案状态。的Si-T 2也显示出有效的σ-π共轭和差分子相互作用,这反映其高Φ ˚F在固体状态。相反,降低Φ ˚F(0.13,在331纳米激发的)在固体状态中最长的低聚噻吩检查,5,5''' -双(1,1,1,3,3,3-六甲基-2-观察(三甲基硅烷基)三硅烷基-2-基)-2,2′:
    DOI:
    10.1021/jo500029f
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文献信息

  • ORGANIC SEMICONDUCTING COMPOUNDS
    申请人:MERCK PATENT GMBH
    公开号:US20190214581A1
    公开(公告)日:2019-07-11
    The invention relates to novel organic semiconducting compounds containing a polycydic unit, to methods for their preparation and educts or intermediates used therein, to compositions, polymer blends and formulations containing them, to the use of the compounds, compositions and polymer blends as organic semiconductors in, or for the preparation of, organic electronic (OE) devices, especially organic photovoltaic (OPV) devices, perovskite-based solar cell (PSC) devices, organic photodetectors (OPD), organic field effect transistors (OFET) and organic light emitting diodes (OLED), and to OE, OPV, PSC, OPD, OFET and OLED devices comprising these compounds, compositions or polymer blends.
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