2-[(E)-1,2-diethoxy-2-[5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]ethenyl]-5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophene | 1383528-43-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 2-[(E)-1,2-diethoxy-2-[5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]ethenyl]-5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophene
• CAS: 1383528-43-5
• 化学式: C₃₀H₂₄O₂S₆
• 分子量: 608.915
• InChiKey: RCYVTQSRPUDWSC-QVIHXGFCSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9.4
• 重原子数：
  38
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.13
• 拓扑面积：
  188
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  (E)-1,2-diethoxy-1,2-bis(5-(trimethylstannyl)thiophen-2-yl)ethene 、 5-溴-2,2-双噻吩 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 48.0h， 以60%的产率得到2-[(E)-1,2-diethoxy-2-[5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]ethenyl]-5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophene
  参考文献：
  名称：

  将电子中性构建块与分子内“构象锁”相结合，提供稳定、高迁移率的 P 和 N 沟道聚合物半导体

  摘要：

  了解分子/大分子结构与有机薄膜晶体管 (TFT) 性能之间的关系对于实现下一代高性能有机电子产品至关重要。在这方面，平面 π 共轭、电子中性（即，既不是高度富电子也不是高度缺电子）构建块代表了聚合物半导体的主要目标，但是它们的实现提出了合成挑战。在这里，我们报告了一种易于获得（最少的合成步骤）、基于电子中性的噻吩基 - 亚乙烯基（TVT）的具有弱分子内 S…O“构象锁”的构建块提供了一类新的稳定、结构平面的解决方案-可加工的、高迁移率的、分子和大分子半导体。在 DFT 计算的电子结构、有利的 MO 能量学、X 射线衍射衍生的分子结构、实验晶格内聚力指标和优异的 TFT 性能中，将弱 TVT 电子丰富度与超分子平面化相结合的吸引力是显而易见的。基于 TVT 的聚合物 TFT 在空气中表现出稳定的载流子迁移率高达 0.5 和 0.05 cm(2)/V·s（分别为 n 型和 p 型）。具有高电压增益

  DOI：

  10.1021/ja303401s