(4,4'-dimethyl-[2,2'-bithiophene]-5,5'-diyl)bis(tributylstannane) | 1431775-18-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: (4,4'-dimethyl-[2,2'-bithiophene]-5,5'-diyl)bis(tributylstannane)
• 英文别名: Tributyl-[3-methyl-5-(4-methyl-5-tributylstannylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]stannane
• CAS: 1431775-18-6
• 化学式: C₃₄H₆₂S₂Sn₂
• 分子量: 772.418
• InChiKey: PBHROJIKXUERKL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  12.21
• 重原子数：
  38
• 可旋转键数：
  21
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.76
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-bromo-5-butyl-5H-thieno[3,2-c]pyrrole-4,6-dione 、 (4,4'-dimethyl-[2,2'-bithiophene]-5,5'-diyl)bis(tributylstannane) 在 tetrakis(triphenylarsine)palladium(0) 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 以64%的产率得到2,2'-(4,4'-dimethyl-[2,2'-bithiophene]-5,5'-diyl)bis(5-butyl-4H-thieno[2,3-c]pyrrole-4,6(5H)-dione)
  参考文献：
  名称：

  pi-Core剪裁，用于基于高性能噻吩（双）酰亚胺的新型n型分子半导体。

  摘要：

  描述和合成两个电子的迁移率高达0.3 cm（2）V（-1）s（-1）的基于噻吩（双）酰亚胺的n型半导体的合成和表征。还讨论了pi内核的电子特征与新材料的功能特性之间的关系。

  DOI：

  10.1039/c2cc37053k
• 作为产物：
  描述：

  三丁基氯化锡 、 4,4'-dimethyl-5,5'-dibromo-bithiophene 在 正丁基锂 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 以96%的产率得到(4,4'-dimethyl-[2,2'-bithiophene]-5,5'-diyl)bis(tributylstannane)
  参考文献：
  名称：

  pi-Core剪裁，用于基于高性能噻吩（双）酰亚胺的新型n型分子半导体。

  摘要：

  描述和合成两个电子的迁移率高达0.3 cm（2）V（-1）s（-1）的基于噻吩（双）酰亚胺的n型半导体的合成和表征。还讨论了pi内核的电子特征与新材料的功能特性之间的关系。

  DOI：

  10.1039/c2cc37053k

文献信息

• π-Core tailoring for new high performance thieno(bis)imide based n-type molecular semiconductors
  作者：Margherita Durso、Denis Gentili、Cristian Bettini、Alberto Zanelli、Massimiliano Cavallini、Filippo De Angelis、Maria Grazia Lobello、Viviana Biondo、Michele Muccini、Raffaella Capelli、Manuela Melucci

  DOI：10.1039/c2cc37053k

  日期：——

  The synthesis and characterization of two thieno(bis)imide based n-type semiconductors with electron mobilities of up to 0.3 cm(2) V(-1) s(-1) are described. The relationships between the electronic features of the pi-inner core and the functional properties of the new materials are also discussed.

  描述和合成两个电子的迁移率高达0.3 cm（2）V（-1）s（-1）的基于噻吩（双）酰亚胺的n型半导体的合成和表征。还讨论了pi内核的电子特征与新材料的功能特性之间的关系。