两个d-A的共轭聚合物,FBT-DTH DT -1T和FBT-DTH DT -
TT,使用5,6-二
氟-2,1,3-
噻二唑(FBT)作为电子接受单元,和三
噻吩或2,分别合成了5-二(
噻吩-2-基)
噻吩并[3,2- b ]
噻吩作为给电子单元。其中,第一批FBT-DTH DT -
TT具有相对低的分子量(MW)可以表示为FBT-DTH DT -
TT-L和第二批的FBT-DTH DT -
TT具有高得多的分子量可以是表示为FBT-DTh DT -
TT -H。FBT-DTh DT-1T在
AM1的照射下,在反向聚合物太阳能电池(i-PSC)中具有2.6×10 -3 cm 2(V s)-1的低FET空穴迁移率和0.91%的不良功率转换效率(PCE)。 5G,100 mW cm -2光。相比FBT-DTH DT -1T,FBT-DTH DT -
TT具有扩展的π共轭负有更换
TT在骨干三
噻吩的
噻吩中间,这将增加聚