2,7-di-n-hexyldithienobenzodithiophene | 1131001-25-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: 2,7-di-n-hexyldithienobenzodithiophene
• 英文别名: di-n-hexyl dithienobenzodithiophene；2,7-Dihexyl-dithieno[2,3-d:2',3'-d']benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene；6,15-dihexyl-5,9,14,18-tetrathiapentacyclo[10.6.0.03,10.04,8.013,17]octadeca-1(12),2,4(8),6,10,13(17),15-heptaene
• CAS: 1131001-25-6
• 化学式: C₂₆H₃₀S₄
• 分子量: 470.788
• InChiKey: AACLNADJJQUYAY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.8
• 重原子数：
  30
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.46
• 拓扑面积：
  113
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  1,4-二溴-2,5-二氟苯 在 四(三苯基膦)钯 、 三氟甲磺酸 、 四磷十氧化物 、 双氧水 、 溶剂黄146 作用下， 以 四氢呋喃 、 N-甲基吡咯烷酮 、 氯仿 、 水 为溶剂， 反应 118.0h， 生成 2,7-di-n-hexyldithienobenzodithiophene
  参考文献：
  名称：

  ジチエノベンゾジチオフェン誘導体の製造方法

  摘要：

  【问题】提供一种使用易得原料，经过简短工序和高收率生产高载流子迁移率的有机半导体材料二噻吩苯并二噻吩衍生物的制造方法。 【解决方案】该二噻吩苯并二噻吩衍生物的制造方法特征在于至少经过以下（A）~（D）步骤： （A）步骤：在钯催化剂和/或镍催化剂存在下，通过2-取代-5-乙烯基金属衍生物和1,2,4,5-四卤代苯的反应制备1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-二卤代苯； （B）步骤：通过碱金属硫醇醇和（A）步骤得到的1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-二卤代苯的反应制备1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-双（烷基硫酰基）苯； （C）步骤：通过氧化剂和（B）步骤得到的1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-双（烷基硫酰基）苯的反应制备1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-双（烷基硫醇基）苯； （D）步骤：在（C）步骤中得到的1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-双（烷基硫醇基）苯在pKa小于2的酸性条件下处理后，供应脱烷基化反应的胺，制备二噻吩苯并二噻吩衍生物。 【选项图】无

  公开号：

  JP2015224238A

文献信息

• ジチエノベンゾジチオフェンの製造方法
  申请人：東ソー株式会社

  公开号：JP2015227295A

  公开（公告）日：2015-12-17

  【課題】 塗布で高いキャリア移動度を与えると共に容易に効率よく有機半導体層を製膜することが可能となるジチエノベンゾジチオフェンおよびその誘導体を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】 ２位のハロゲンが３位のハロゲンと同等又はより原子番号の大きいハロゲンである２，３−ジハロチオフェンを用いてジチエノベンゾジチオフェンを製造することを特徴とするジチエノベンゾジチオフェンの製造方法。【選択図】 なし

  【问题】提供一种有效制造二噻吩苯二噻吩及其衍生物，使其在涂布过程中具有高的载流子迁移率，同时可以轻松高效地制备有机半导体层。 【解决方法】使用2,3-二卤代噻吩，其中2号卤素与3号卤素的原子序数相等或更大的卤素，制造二噻吩苯二噻吩。 【选定图】无。
• [EN] HIGH PERFORMANCE SOLUTION PROCESSABLE SEMINCONDUCTOR BASED ON DITHIENO [2,3-D:2',3'-D']BENZO[1,2-B:4,5-B'] DITHIOPHENE<br/>[FR] SEMI-CONDUCTEUR À HAUTE PERFORMANCE APTE À ÊTRE TRAITÉ EN SOLUTION À BASE DE DITHIÉNO[2,3-D:2',3'-D']BENZO[1,2-B:4,5-B']DITHIOPHÈNE
  申请人：BASF SE

  公开号：WO2010000670A1

  公开（公告）日：2010-01-07

  Dithienobenzodithiophenes of general formula (I) in which R1 to R6 are each independently selected from a) H, b) halogen, c) -CN, d) -NO2, e) - OH, f) a C1-20 alkyl group, g) a C2-20 alkenyl group, h) a C2-20 alkynyl group, i) a C1-20 alkoxy group, j) a C1-20 alkylthio group, k) a C1-20 haloalkyl group, I) a -Y- C3-10 cycloalkyl group, m) a -Y-C6-14 aryl group, n) a -Y-3-12 membered cyclo- heteroalkyl group, or o) a -Y-5-14 membered heteroaryl group, wherein each of the C1-20 alkyl group, the C2-20 alkenyl group, the C2-20 alkynyl group, the C3-10 cycloalkyl group, the C6-14 aryl group, the 3-12 membered cyc- loheteroalkyl group, and the 5-14 membered heteroaryl group is optionally substituted with 1 -4 R7 groups, wherein R1 and R3 and R2 and R4 may also together form an aliphatic cyclic moiety, Y is independently selected from divalent a C1-6 alkyl group, a divalent C1-6 haloalkyl group, or a covalent bond; and m is independently selected from 0, 1, or 2. The invention also relates to the use of the dithienobenzodithiophenes according to any of claims 1 to 4 as semiconductors or charge transport materials, as thin-film transistors (TFTs), or in semiconductor components for organic light-emitting diodes (OLEDs), for photovoltaic components or in sensors, as an electrode material in batteries, as optical waveguides or for electrophotography applications.

  通式（I）的二噻吩并二噻吩（dithienobenzodithiophenes），其中R1至R6分别独立地选自a）H，b）卤素，c）-CN，d）-NO2，e）-OH，f）C1-20烷基，g）C2-20烯基，h）C2-20炔基，i）C1-20烷氧基，j）C1-20烷硫基，k）C1-20卤代烷基，I）-Y-C3-10环烷基，m）-Y-C6-14芳基，n）-Y-3-12成员环杂烷基，或o）-Y-5-14成员杂芳基，其中C1-20烷基，C2-20烯基，C2-20炔基，C3-10环烷基，C6-14芳基，3-12成员环杂烷基和5-14成员杂芳基中的每一个均可选择性地用1-4个R7基取代，其中R1和R3以及R2和R4也可以共同形成脂肪族环状基团，Y独立地选自二价的C1-6烷基，二价的C1-6卤代烷基或共价键；m独立地选自0、1或2。本发明还涉及将通式1至4中的二噻吩并二噻吩用作半导体或电荷传输材料，用作薄膜晶体管（TFT），或用于有机发光二极管（OLED）的半导体元件，用于光伏元件或传感器，用作电池的电极材料，用作光波导或电子摄影应用。
• ジチエノベンゾジチオフェン誘導体の製造方法
  申请人：東ソー株式会社

  公开号：JP2015224238A

  公开（公告）日：2015-12-14

  【課題】 入手容易な原料を用い短工程及び高収率で、高いキャリア移動度を与える有機半導体材料であるジチエノベンゾジチオフェン誘導体の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも下記（Ａ）〜（Ｄ）工程を経ることを特徴とするジチエノベンゾジチオフェン誘導体の製造方法。（Ａ）工程；パラジウム触媒及び／又はニッケル触媒の存在下、２−置換−５−チエニル金属誘導体と１，２，４，５−テトラハロベンゼンとの反応により１，４−ビス（２−置換−５−チエニル）−２，５−ジハロベンゼンを製造する工程。（Ｂ）工程；アルカリ金属チオアルコキサイドと（Ａ）工程により得られた１，４−ビス（２−置換−５−チエニル）−２，５−ジハロベンゼンの反応により１，４−ビス（２−置換−５−チエニル）−２，５−ビス（アルキルスルフェニル）ベンゼンを製造する工程。（Ｃ）工程；酸化剤と（Ｂ）工程により得られた１，４−ビス（２−置換−５−チエニル）−２，５−ビス（アルキルスルフェニル）ベンゼンとの反応により、１，４−ビス（２−置換−５−チエニル）−２，５−ビス（アルキルスルフィニル）ベンゼンを製造する工程。（Ｄ）工程；（Ｃ）工程により得られた１，４−ビス（２−置換−５−チエニル）−２，５−ビス（アルキルスルフィニル）ベンゼンをｐＫａが２以下の酸で処理した後、アミンで脱アルキル化反応に供し、ジチエノベンゾジチオフェン誘導体を製造する工程。【選択図】 なし

  【问题】提供一种使用易得原料，经过简短工序和高收率生产高载流子迁移率的有机半导体材料二噻吩苯并二噻吩衍生物的制造方法。 【解决方案】该二噻吩苯并二噻吩衍生物的制造方法特征在于至少经过以下（A）~（D）步骤： （A）步骤：在钯催化剂和/或镍催化剂存在下，通过2-取代-5-乙烯基金属衍生物和1,2,4,5-四卤代苯的反应制备1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-二卤代苯； （B）步骤：通过碱金属硫醇醇和（A）步骤得到的1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-二卤代苯的反应制备1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-双（烷基硫酰基）苯； （C）步骤：通过氧化剂和（B）步骤得到的1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-双（烷基硫酰基）苯的反应制备1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-双（烷基硫醇基）苯； （D）步骤：在（C）步骤中得到的1,4-双（2-取代-5-乙烯基）-2,5-双（烷基硫醇基）苯在pKa小于2的酸性条件下处理后，供应脱烷基化反应的胺，制备二噻吩苯并二噻吩衍生物。 【选项图】无
• PHOTOCROSSLINKABLE POLYMER, INSULATING FILM, PLANARIZATION FILM, LYOPHILIC/LIQUID REPELLENT PATTERNED FILM, AND ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE COMPRISING SAME
  申请人：TOSOH CORPORATION

  公开号：US20210135115A1

  公开（公告）日：2021-05-06

  Provided is a resin which is excellent in terms of solubility in common solvents, crosslinking temperature, time required for crosslinking, solvent resistance (cracking resistance), breakdown voltage, leakage current, solvent wettability, and planarity in cases where the resin is formed into a thin film. A resin which comprises repeating units represented by formula (1) and formula (2), and wherein the repeating unit represented by formula (2) is contained in an amount of 20% by mole or more relative to the total amount of the repeating units represented by formula (1) and formula (2).
• JP5790069
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——