【課題】良好なマスクエラーファクター(MEF)を有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[R1〜R11は夫々独立に、H、OH基又は炭化水素基;nは0又は1;Q1及びQ2は夫々独立に、F又はペルフルオロアルキル基;Lb1は飽和炭化水素基;Yはメチル基又は置換/非置換の脂環式飽和炭化水素基、該脂環式飽和炭化水素基のCH2はO、SO2或いは(C=O)に置き換っても良い]【選択図】なし
【问题】提供一种含有盐的光阻组合物,可以制造具有良好的掩模误差因子(MEF)的光刻胶图案。
【解决方案】所述盐由式(I)表示。
其中,[R1-R11分别独立地表示H、OH基或烷基;n为0或1;Q1和Q2分别独立地表示F或
全氟烷基;Lb1表示饱和烷基;Y表示甲基基团或取代/未取代的脂环烷基,该脂环烷基的
CH2可以被O、SO2或(C=O)取代]。【选择图】无