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4-bromo-3,5-dimethylthioanisole | 1267535-90-9

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
4-bromo-3,5-dimethylthioanisole
英文别名
2-bromo-1,3-dimethyl-5-methylsulfanylbenzene
4-bromo-3,5-dimethylthioanisole化学式
CAS
1267535-90-9
化学式
C9H11BrS
mdl
——
分子量
231.156
InChiKey
RGOABFZHBHXWKH-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    267.6±28.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.39±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.9
  • 重原子数:
    11
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.33
  • 拓扑面积:
    25.3
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    4-bromo-3,5-dimethylthioanisole正丁基锂potassium carbonate 作用下, 以 四氢呋喃甲醇 为溶剂, 反应 22.33h, 生成
    参考文献:
    名称:
    设计茚并[1,2-b]芴的HOMO-LUMO间隙
    摘要:
    已经开发了一种直接、有效和通用的策略来调节茚并[1,2- b ]芴的光电和磁性。4-取代-2,6-二甲基苯基乙炔基置于五元环的顶端碳中,导致吸收最大值红移(λ max范围为 600-700 nm)和 HOMO-LUMO 能隙显着变窄(低至1.5 电子伏特)。实验和理论数据表明双自由基特征(y)的增加和单重态-三重态能隙的减小。此外,我们还研究了抗芳香族茚并[1,2- b]芴首次通过在苯乙炔部分上包含硫甲基(-SMe)锚定基团。尽管 S-to-S 分子结的长度更长,但已发现电导值比参考线性 3 环对亚苯基乙烯的电导值高一个数量级。第一原理传输计算支持这种高电导值。
    DOI:
    10.1039/d2tc02475f
  • 作为产物:
    描述:
    3,5-dimethylphenyl methyl sulfideN-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下, 以 乙腈 为溶剂, 反应 18.0h, 以89%的产率得到4-bromo-3,5-dimethylthioanisole
    参考文献:
    名称:
    Silicon Ring Strain Creates High-Conductance Pathways in Single-Molecule Circuits
    摘要:
    Here we demonstrate for the first time that strained silanes couple directly to gold electrodes in break-junction conductance measurements. We find that strained silicon molecular wires terminated by alkyl sulfide aurophiles behave effectively as single-molecule parallel circuits with competing sulfur-to-sulfur (low G) and sulfur-to-silacycle (high G) pathways. We can switch off the high conducting sulfur-to-silacycle pathway by altering the environment of the electrode surface to disable the Au-silacycle coupling. Additionally, we can switch between conductive pathways in a single molecular junction by modulating the tip-substrate electrode distance. This study provides a new molecular design to control electronics in silicon-based single molecule wires.
    DOI:
    10.1021/ja410656a
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文献信息

  • [EN] INTERMOLECULAR C-H SILYLATION OF UNACTIVATED ARENES<br/>[FR] SILYLATION C-H INTERMOLÉCULAIRE D'ARÈNES INACTIVÉS
    申请人:UNIV CALIFORNIA
    公开号:WO2015035325A1
    公开(公告)日:2015-03-12
    Reaction mixtures for silvlating arene substrates and methods of using such reaction mixtures to silyiate the arene substrates are provided. Exemplary reaction mixtures include the arene substrate, a liganded metal catalyst, a hydrogen acceptor and an organic solvent. The reaction conditions allow for diverse substituents on the arene substrate.
    提供了用于基化芳烃底物的反应混合物以及使用这种反应混合物来基化芳烃底物的方法。示例反应混合物包括芳烃底物、配体属催化剂、氢受体和有机溶剂。反应条件允许芳烃底物上具有多样的取代基。
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