Characterization of the Non-uniform Reaction in Chemically Amplified Calix[4]resorcinarene Molecular Resist Thin Films
摘要:
ccc立体异构体纯化的叔丁氧羰酰氧基保护的钙[4]间苯二酚分子抗蚀剂与光酸发生器混合后,在薄膜中表现出不均匀的光酸催化反应。与主体相比,表面的反应程度有所降低,通过氘标记叔丁氧羰基的中子反射率测定,平均表面层厚度为 7.0 ± 1.8 nm。众所周知,环境中的杂质(胺和有机碱)会淬灭表面反应并产生影响,但掠入射 X 射线衍射还显示出另一种影响,即受保护的分子抗蚀剂优先取向于表面,而薄膜的主体则显示出代表无定形堆积的漫散射。通过近边 X 射线吸收精细结构测量,对表面脱保护反应和光酸的存在进行了量化。