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2-bromo-4-hexylthiophene-2-carboxylic acid | 1026052-67-4

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-bromo-4-hexylthiophene-2-carboxylic acid
英文别名
4-hexyl-5-bromothiophene-2-carboxylic acid;5-Bromo-4-hexylthiophene-2-carboxylic acid
2-bromo-4-hexylthiophene-2-carboxylic acid化学式
CAS
1026052-67-4
化学式
C11H15BrO2S
mdl
——
分子量
291.209
InChiKey
ORAFEDDNYBTSGF-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.5
  • 重原子数:
    15
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.55
  • 拓扑面积:
    65.5
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    3

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    树枝状寡聚噻吩的新家族的合成,光学和电化学性质
    摘要:
    合成并研究了新型的具有低聚噻吩(OT)臂的第三类半柔性树状聚合物。所使用的合成方法包括用于低聚噻吩的钯催化的Stille交叉偶联反应,用于结构单元的Sonogashira交叉偶联反应以及用于构建各种树枝状化合物的碳二亚胺介导的酯化的组合。这一系列基于低聚噻吩的树枝状大分子的光学和电化学性质显示出受其形态的强烈影响,如在不同环境条件下明显的溶剂化和热致变色反应所证明。引入刚性的寡聚噻吩臂以形成非持久性酯连接的树枝状大分子,会导致生成更高年龄的树枝状大分子(G2和G3)表现出溶剂致变色和热致变色,而它们的寡聚对应物(3b)和低代(G1)类似物则没有。观察到由于分子内和分子间聚集而引起的光谱变化。
    DOI:
    10.1021/jo0619581
  • 作为产物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    树枝状寡聚噻吩的新家族的合成,光学和电化学性质
    摘要:
    合成并研究了新型的具有低聚噻吩(OT)臂的第三类半柔性树状聚合物。所使用的合成方法包括用于低聚噻吩的钯催化的Stille交叉偶联反应,用于结构单元的Sonogashira交叉偶联反应以及用于构建各种树枝状化合物的碳二亚胺介导的酯化的组合。这一系列基于低聚噻吩的树枝状大分子的光学和电化学性质显示出受其形态的强烈影响,如在不同环境条件下明显的溶剂化和热致变色反应所证明。引入刚性的寡聚噻吩臂以形成非持久性酯连接的树枝状大分子,会导致生成更高年龄的树枝状大分子(G2和G3)表现出溶剂致变色和热致变色,而它们的寡聚对应物(3b)和低代(G1)类似物则没有。观察到由于分子内和分子间聚集而引起的光谱变化。
    DOI:
    10.1021/jo0619581
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文献信息

  • Solution-Processable n-Type Organic Field-Effect Transistor (OFET) Materials Based on Carbonyl-Bridged Bithiazole and Dioxocyclopentene-Annelated Thiophenes
    作者:Masashi Nitani、Yutaka Ie、Hirokazu Tada、Yoshio Aso
    DOI:10.1002/asia.201100098
    日期:2011.9.5
    A series of electronegative π‐conjugated compounds composed of carbonyl‐bridged bithiazole and alkyl‐substituted dioxocyclopenta[b]thiophene were synthesized as a candidate for solution‐processable n‐type organic semiconductor materials and characterized on the basis of photophysical and electrochemical properties. Cyclic voltammetry measurements showed that the first half‐wave reduction potentials
    由羰基桥联的噻唑和烷基取代的二氧代环戊基组成的一系列带负电的π共轭化合物[ b合成]噻吩作为可溶液处理的n型有机半导体材料的候选物,并基于光物理和电化学性质对其进行了表征。循环伏安法测量表明,相对于二茂铁/二茂铁,这些化合物的前半波还原电势在-0.97和-1.14 V之间,这对应于在-3.83和-3.66 eV之间的最低未占据分子轨道能级。由于分子中具有己基或十二烷基,因此这些化合物具有足够的可溶性,可以通过旋涂法制备薄膜。结果,基于这些新开发的化合物制备的有机场效应晶体管不仅在真空下而且在空气中都表现出n沟道特性,2  V -1  s -1,开/关比为10 8,阈值电压为16V。
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