N-(p-tolyl)-S-(trifluoromethyl)thiohydroxylamine | 1045821-80-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: N-(p-tolyl)-S-(trifluoromethyl)thiohydroxylamine
• 英文别名: 4-methyl-N-[(trifluoromethyl)thio]aniline；4-methyl-N-(trifluoromethylsulfanyl)aniline
• CAS: 1045821-80-4
• 化学式: C₈H₈F₃NS
• 分子量: 207.219
• InChiKey: RVDCSABFZPFTKD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.9
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  37.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  (三氟甲基)三甲基硅烷 、 乙烷,三氯氟- 在 二乙胺基三氟化硫 、 N,N-二异丙基乙胺 作用下， 以 二氯甲烷 、 乙酸乙酯 为溶剂， 反应 1.0h， 以74%的产率得到N-(p-tolyl)-S-(trifluoromethyl)thiohydroxylamine
  参考文献：
  名称：

  螯合辅助CH键的钯催化三氟甲基硫醇化

  摘要：

  螯合辅助CH键的钯催化三氟甲基硫醇化反应是通过使用易于获得的亲电子三氟甲基硫醇化试剂完成的。

  DOI：

  10.1002/ejoc.201800451

文献信息

• Resist composition and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US10474030B2

  公开（公告）日：2019-11-12

  A resist composition comprising a base polymer and a metal salt of carboxylic acid or sulfonamide is provided, the metal being selected from calcium, strontium, barium, cerium, aluminum, indium, gallium, thallium scandium, and yttrium. The resist composition exhibits a sensitizing effect and an acid diffusion suppressing effect and forms a pattern having improved resolution, LWR and CDU.

  本发明提供了一种抗蚀剂组合物，它由基质聚合物和羧酸或磺酰胺的金属盐组成，金属选自钙、锶、钡、铈、铝、铟、镓、铊钪和钇。抗蚀剂组合物具有敏化效果和酸扩散抑制效果，并能形成具有更高分辨率、LWR 和 CDU 的图案。
• Synthesis of Trifluoromethanesulfinamidines and -sulfanylamides
  作者：Aurélien Ferry、Thierry Billard、Bernard R. Langlois、Eric Bacqué

  DOI：10.1021/jo8018544

  日期：2008.12.5

  Fluorinated moieties constitute important substituents used in many applications to modify the properties of molecules. The action of DAST onto Ruppert's rea gent yields to a not isolable intermediate that can then react with various primary amines to give trifluoromethanesulfinamidines and trifluoromethanesulfanylamides. Such compounds were unknown until now and constitute interesting new families of fluorinated molecules.
• RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20180101094A1

  公开（公告）日：2018-04-12

  A resist composition comprising a base polymer and a metal salt of carboxylic acid or sulfonamide is provided, the metal being selected from calcium, strontium, barium, cerium, aluminum, indium, gallium, thallium scandium, and yttrium. The resist composition exhibits a sensitizing effect and an acid diffusion suppressing effect and forms a pattern having improved resolution, LWR and CDU.