bis(4-(N,N-dimethylamino)phenyl)-diphenylethynyl-silane | 1452900-17-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: bis(4-(N,N-dimethylamino)phenyl)-diphenylethynyl-silane
• 英文别名: bis(4-(N,N-dimethylamino)phenyl)-bis(phenylethynyl)-silane；4-[[4-(dimethylamino)phenyl]-bis(2-phenylethynyl)silyl]-N,N-dimethylaniline
• CAS: 1452900-17-2
• 化学式: C₃₂H₃₀N₂Si
• 分子量: 470.689
• InChiKey: RKEQRWLHSURDCZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.56
• 重原子数：
  35
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.12
• 拓扑面积：
  6.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二氯(N,N,N',N'-四甲基乙二胺)锌(II) 、 bis(4-(N,N-dimethylamino)phenyl)-diphenylethynyl-silane 在 萘 、 lithium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 1.17h， 生成 C₃₂H₃₀Cl₂N₂SiZn₂
  参考文献：
  名称：

  Electroluminescence performances of 1,1-bis(4-(N,N-dimethylamino)phenyl)-2,3,4,5-tetraphenylsilole based polymers in three cathode architectures

  摘要：

  设计并合成了一种在硅原子上有两个 4-(N,N-二甲基氨基)苯基取代的新型硅烯单体。然后，2,7-芴衍生物与硅烯单体以 1%、10% 和 20% 的进料比共聚，得到了三种共聚物 PF-N-HPS1、PF-N-HPS10 和 PF-N-HPS20。研究了它们的紫外可见吸收、电化学、光致发光和电致发光（EL）特性。PF-N-HPS的HOMO水平为-5.25-5.58 eV，并显示出绿色发射。利用 PF-N-HPS 作为发光层，制备了三种不同的聚合物发光二极管，分别是采用 ITO/PEDOT/PF-N-HPS/Al 的 A 器件、采用 ITO/PEDOT/PF-N-HPS/Ba/Al 的 B 器件和采用 ITO/PEDOT/PF-N-HPS/TPBI/Ba/Al 的 C 器件。在装置 A 中，PF-N-HPS 的电致发光效率很低，仅为 0.06-0.33 cd/A，这表明铝阴极不能有效地向含有 4-（N,N-二甲基氨基）苯基基团的发光聚合物注入电子。对于装置 B，低功函数 Ba 能提供更好的电子注入，EL 效率可提高到 0.85-1.44 cd/A。具有-6.2 eV深HOMO电平的TPBI可增强电子传输和空穴阻滞。TPBI 层将发射层和金属阴极隔开，还可以抑制阴极界面的激子淬灭。

  DOI：

  10.1007/s11426-013-4875-z
• 作为产物：
  描述：

  4-溴-N,N-二甲基苯胺 在 碘 、 magnesium 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 4.0h， 生成 bis(4-(N,N-dimethylamino)phenyl)-diphenylethynyl-silane
  参考文献：
  名称：

  Electroluminescence performances of 1,1-bis(4-(N,N-dimethylamino)phenyl)-2,3,4,5-tetraphenylsilole based polymers in three cathode architectures

  摘要：

  设计并合成了一种在硅原子上有两个 4-(N,N-二甲基氨基)苯基取代的新型硅烯单体。然后，2,7-芴衍生物与硅烯单体以 1%、10% 和 20% 的进料比共聚，得到了三种共聚物 PF-N-HPS1、PF-N-HPS10 和 PF-N-HPS20。研究了它们的紫外可见吸收、电化学、光致发光和电致发光（EL）特性。PF-N-HPS的HOMO水平为-5.25-5.58 eV，并显示出绿色发射。利用 PF-N-HPS 作为发光层，制备了三种不同的聚合物发光二极管，分别是采用 ITO/PEDOT/PF-N-HPS/Al 的 A 器件、采用 ITO/PEDOT/PF-N-HPS/Ba/Al 的 B 器件和采用 ITO/PEDOT/PF-N-HPS/TPBI/Ba/Al 的 C 器件。在装置 A 中，PF-N-HPS 的电致发光效率很低，仅为 0.06-0.33 cd/A，这表明铝阴极不能有效地向含有 4-（N,N-二甲基氨基）苯基基团的发光聚合物注入电子。对于装置 B，低功函数 Ba 能提供更好的电子注入，EL 效率可提高到 0.85-1.44 cd/A。具有-6.2 eV深HOMO电平的TPBI可增强电子传输和空穴阻滞。TPBI 层将发射层和金属阴极隔开，还可以抑制阴极界面的激子淬灭。

  DOI：

  10.1007/s11426-013-4875-z