1-methyl-1-propylpyrrolidinium hydroxide | 833446-32-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡咯烷类
• 英文名称: 1-methyl-1-propylpyrrolidinium hydroxide
• 英文别名: 1-Methyl-1-propylpyrrolidin-1-ium;hydroxide；1-methyl-1-propylpyrrolidin-1-ium;hydroxide
• CAS: 833446-32-5
• 化学式: C₈H₁₈N*HO
• 分子量: 145.245
• InChiKey: YCBLEHMSAYLVKL-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.46
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-丁基-5-疏基四唑 、 1-methyl-1-propylpyrrolidinium hydroxide 以 甲醇 为溶剂， 反应 3.0h， 以95%的产率得到1-n-butyl-5-mercapto-1,2,3,4-tetrazole 1-methyl-1-propylpyrrolidinium salt
  参考文献：
  名称：

  산화환원쌍 및 이를 사용한 광전변환소자

  摘要：

  这项发明提供了一个易于密封且高性能的氧化还原对，以及使用该氧化还原对的实用光电转换器，其在可见光范围内没有强烈的吸收。该发明使用由以下化学式1和化学式2表示的化合物组成的氧化还原对。在化学式1中，A表示Li、K、Na、铵化合物、imidazolium化合物或pyrrolidinium化合物。在以下化学式1和化学式2中，R表示直链烷基，其碳数为4至8，多个R可以相同或不同。

  公开号：

  KR20150082274A

文献信息

• Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2813890A2

  公开（公告）日：2014-12-17

  In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units derived from a naphtholphthalein is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO2 substrates.

  在光刻技术中，使用由萘酚酞递归单元组成的酚醛树脂组合物来形成光刻胶底层膜。该底层膜可在碱水中剥离，不会对离子注入的硅基底或二氧化硅基底造成损坏。
• Underlayer film-forming composition and pattern forming process
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US10228621B2

  公开（公告）日：2019-03-12

  In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units derived from a phenolphthalein, Phenol Red, Cresolphthalein, Cresol Red, or Thymolphthalein is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO2 substrates.

  在光刻技术中，一种包含由酚酞、酚红、甲酚酞、甲酚红或百里酚酞递归单元组成的酚醛树脂的组合物用于形成光阻底层膜。底层膜可在碱水中剥离，不会对离子注入的硅基底或二氧化硅基底造成损坏。
• MANUFACTURING METHOD FOR FLUORINE-CONTAINING SULFONYL IMIDE SALT
  申请人：Nippon Soda Co., Ltd.

  公开号：EP2662332B1

  公开（公告）日：2018-03-28
• Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming processes
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2813890B1

  公开（公告）日：2018-05-30
• PROCESS FOR PRODUCING FLUORINE-CONTAINING SULFONYLIMIDE SALT
  申请人：Tsubokura Shiro

  公开号：US20130323155A1

  公开（公告）日：2013-12-05

  By reacting a fluorine-containing sulfonylimide ammonium salt such as ammonium N,N-di(fluorosulfonyl)imide with an alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, potassium hydroxide or sodium hydroxide under reduced pressure and at a low temperature of approximately 40° C., a fluorine-containing sulfonylimide alkali metal salt such as lithium N,N-di(fluorosulfonyl)imide, potassium N,N-di(fluorosulfonyl)imide or sodium N,N-di(fluorosulfonyl)imide is obtained.