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5,6-bis(octyloxy)-4,7-di(thieno[3,2-b]thiophen-2-yl)benzo[c][1,2,5]oxadiazole | 1443210-53-4

中文名称
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中文别名
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英文名称
5,6-bis(octyloxy)-4,7-di(thieno[3,2-b]thiophen-2-yl)benzo[c][1,2,5]oxadiazole
英文别名
5,6-Dioctoxy-4,7-bis(thieno[3,2-b]thiophen-5-yl)-2,1,3-benzoxadiazole
5,6-bis(octyloxy)-4,7-di(thieno[3,2-b]thiophen-2-yl)benzo[c][1,2,5]oxadiazole化学式
CAS
1443210-53-4
化学式
C34H40N2O3S4
mdl
——
分子量
652.967
InChiKey
GPHAUECSMCUZHC-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • 反应信息
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    12.9
  • 重原子数:
    43
  • 可旋转键数:
    18
  • 环数:
    6.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.47
  • 拓扑面积:
    170
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    9

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    5,6-bis(octyloxy)-4,7-di(thieno[3,2-b]thiophen-2-yl)benzo[c][1,2,5]oxadiazoleN-溴代丁二酰亚胺(NBS)溶剂黄146 作用下, 以 氯仿 为溶剂, 反应 24.0h, 以85%的产率得到4,7-bis(5-bromothieno [3,2-b]thiophen-2-yl)-5,6-bis(octyloxy)benzo[c][1,2,5]oxadiazole
    参考文献:
    名称:
    基于2,1,3-苯并恶二唑,噻吩和苯并二噻吩的有机光伏无规共聚物:噻吩与噻吩并[3,2- b ]噻吩作为π-共轭连接体
    摘要:
    设计并合成了三种以苯并二噻吩和噻吩为供体单元,苯并恶二唑为受体单元并与噻吩和噻吩并[3,2 - b ]噻吩π-桥隔开的共轭无规共聚物。研究了不同接头对光学和电化学性质的影响。与噻吩类似物相比,含有噻吩并[3,2 - b ]噻吩π桥的聚合物显示出红移的吸收。研究了聚合物:富勒烯共混膜的形貌和光电性能。一种无规共聚物(P 2)与PC 71 BM([6,6]-苯基-C 71-丁酸甲酯)由于高的短路电流密度和填充因子而显示出5.17%的光伏性能。
    DOI:
    10.1039/c6nj02469f
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    含苯的可加工2,1,3-苯并恶二唑聚合物的溶液的光学和电化学性质的研究
    摘要:
    四种新型可溶液处理的含苯并恶二唑的交替共聚物,即聚(5,6-双(辛氧基)-4-(5-苯基噻吩-2-基)-7-(噻吩-2-基)苯并[c] [1,2, 5]恶二唑)PBOTPh,聚(5,6-双(辛氧基)-4-(5-苯基硒代-2-基)-7-(硒代-2-基)苯并[c] [1,2,5]恶二唑)PBOSPh,聚(4-(呋喃-2-基)-5,6-双(辛氧基)-7-(5-苯基呋喃-2-基)苯并[c] [1,2,5]恶二唑)PBOFPh和聚(5,6-双(辛氧基)-4-(5-苯基噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-7-(噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)苯并[通过Suzuki缩聚反应合成了以5,6-双(辛氧基)苯并[c] [1,2,5]恶二唑为受体部分和以苯为供体部分的c] [1,2,5]恶二唑)PBOTTPh。各种电子给体部分被用作聚合物主链中的π桥,以调节聚合物的光电性能。
    DOI:
    10.1149/1945-7111/abab23
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文献信息

  • Control of molecular curvature and crystallinity of quinacridone-benzoxadiazole copolymers using different π bridge for polymer solar cells
    作者:Min-Hee Choi、Hyo Yeol Kim、Eui Jin Lee、Doo Kyung Moon
    DOI:10.1016/j.polymer.2016.03.062
    日期:2016.5
    the polymer backbone and crystallinity, especially regarding packing orientation. PQcOx-T exhibits a zigzag conformation with a dihedral angle over 25° and shows an edge-on structure in pristine film. However, PQcOx-TT exhibits a linear conformation with a dihedral angle under 7° and shows crystallized domains and oriented morphology with shoulder peaks in the UV–vis spectra of both solution and film
    通过Suzuki偶联反应获得三种含有不同间隔基(PQcOx-T,PQcOx-TT和PQcOx-biT)的喹ac啶酮-苯并二唑聚合物,以控制聚合物主链的能级和曲率。我们发现聚合物主链和结晶度之间的结构关系,特别是关于堆积方向。PQcOx-T呈现锯齿状构型,二面角超过25°,并且在原始薄膜中显示边缘结构。但是,PQcOx-TT呈线性构型,二面角在7°以下,并且在溶液和薄膜状态的UV-vis光谱中均显示出晶域和定向形态,并具有肩峰。尽管PQcOx-biT表现出线性构象,但其基态和激发态的电子分布都位于受体单元上。所以,PQcOx-biT中的分子内电荷转移(ICT)效果不佳。线性聚合物更喜欢薄膜状态的规则和结晶域,并导致更有效的有机光伏(OPV)器件。PQcOx-TT的PCE值高达3.4%。此外,当我们制造倒装器件时,由于其在有源层和MoO之间的表面电势较小,PCE增至3.6%3。聚合物的堆积方向
  • Thieno[3,2-<i>b</i>]thiophene-Bridged D−π–A Polymer Semiconductor Based on Benzo[1,2-<i>b</i>:4,5-<i>b</i>′]dithiophene and Benzoxadiazole
    作者:Xiaochen Wang、Pei Jiang、Yu Chen、Hao Luo、Zhiguo Zhang、Haiqiao Wang、Xiaoyu Li、Gui Yu、Yongfang Li
    DOI:10.1021/ma4005555
    日期:2013.6.25
    Thieno[3,2-b]thiophene-bridged polymer semiconductor, P(BDT-TT-BO), featuring benzoxadiazole (BO) acceptor unit was designed and synthesized. P(BDT-TT-BO) showed broad absorption, in the wavelength range of 350-700 nm, and low highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level (-5.31 eV). The benzoxadiazole-based polymer semiconductor exhibited very promising optoelectronic performance. Power conversion efficiency of the polymer solar cell with P(BDT-TT-BO) as donor reached 7.05%, which is the champion efficiency in benzoxadiazole containing conjugated polymers and comparable to that of the most efficient benzothiadiazole-based donor polymers. The sensitive dependence of carrier mobility on the annealing temperature of the polymer semiconductors was systematic studied. After annealing at 200 degrees C, P(BDT-TT-BO)-based polymer field effect transistor showed a mobility of more than 12 times that of unannealed devices, reached 0.023 cm(2) V-1 s(-1), with a high on/off current ratio of 2.7 x 10(5).
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