摘要:
基于硒并[3,2-b]噻吩的熔融环结构单元,制备了八种用于晶体管的新型聚合物材料。通过单晶 X 射线衍射确定了硒并[3,2-b]噻吩的分子结构,并在含有取代和未取代噻吩、噻唑、二噻吩并吡咯(DTP)和苯并噻二唑亚基的各种共聚物的 Stille 合成过程中对其进行了进一步的单体修饰。对由此产生的聚合物进行了紫外-可见吸收分析,结果表明,与普通聚(3-己基噻吩)(P3HT)相比,这种聚合物的紫外-可见吸收发生了显著的红移,这是因为聚合物骨架的平面度和共轭度增加了。新聚合物的循环伏安实验表明,与 P3HT 相比,几乎所有新结构都具有更高的氧化电位,这使它们在环境气氛下对氧化掺杂更加稳定。此外,还通过这些聚合物在场效应晶体管中作为活性层的性能,对它们的电气特性进行了评估。这些聚合物显示出相对较高的迁移率值,其中观察到的最高值为 0.11 cm2 V-1s-1,导通/关断比约为 105。