naphthol | 1429608-62-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 芴
• 英文名称: naphthol
• 英文别名: 6-[9,18,18,27,27-Pentakis(6-hydroxynaphthalen-2-yl)-9-heptacyclo[18.7.0.02,10.03,8.011,19.012,17.021,26]heptacosa-1(20),2(10),3,5,7,11(19),12,14,16,21,23,25-dodecaenyl]naphthalen-2-ol；6-[9,18,18,27,27-pentakis(6-hydroxynaphthalen-2-yl)-9-heptacyclo[18.7.0.02,10.03,8.011,19.012,17.021,26]heptacosa-1(20),2(10),3,5,7,11(19),12,14,16,21,23,25-dodecaenyl]naphthalen-2-ol
• CAS: 1429608-62-7
• 化学式: C₈₇H₅₄O₆
• 分子量: 1195.38
• InChiKey: GFXJPVMTZBFMOG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  21.5
• 重原子数：
  93
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  19.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.03
• 拓扑面积：
  121
• 氢给体数：
  6
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  5H-二茚并[1,2-a:1',2'-c]芴-5,10,15-三酮 、 2-萘酚 在 硫酸 、 3-巯基丙酸 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 10.0h， 生成 naphthol
  参考文献：
  名称：

  RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME

  摘要：

  公开了一种抗蚀底层膜组合物，该抗蚀底层膜组合物包含一种三苯乙烷化合物，其具有如下通式（1）所示的取代或未取代萘酚基。可以提供一种抗蚀底层膜组合物，以形成一种能够减少反射并具有高蚀刻抗性和耐热性的抗蚀底层膜。

  公开号：

  US20130087529A1

文献信息

• NOVEL COMPOUND, SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND METHODS FOR MANUFACTURING COATING AND SEMICONDUCTOR USING THE SAME
  申请人：Merck Patent GmbH

  公开号：US20200044158A1

  公开（公告）日：2020-02-06

  An object is to provide a semiconductor material and coating having high solubility in solvents and having advantageous filling property, high heat resistance, and/or high etching resistance. Another object is to provide a method for manufacturing a semiconductor using the semiconductor material. Still another object is to provide a novel compound. Provided are: a semiconductor material consisting of a specific aromatic hydrocarbon ring derivative; methods for manufacturing a coating and a semiconductor using the semiconductor material; and a compound consisting of a specific aromatic hydrocarbon ring derivative.
• US9146468B2
  申请人：——

  公开号：US9146468B2

  公开（公告）日：2015-09-29
• US9958781B2
  申请人：——

  公开号：US9958781B2

  公开（公告）日：2018-05-01
• RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20130087529A1

  公开（公告）日：2013-04-11

  There is disclosed A resist underlayer film composition, the resist underlayer film composition contains a truxene compound having a substituted or an unsubstituted naphthol group as shown by the following general formula (1). There can be provided a resist underlayer film composition to form a resist underlayer film being capable of reducing reflectance and having high etching resistance, heat resistance.

  公开了一种抗蚀底层膜组合物，该抗蚀底层膜组合物包含一种三苯乙烷化合物，其具有如下通式（1）所示的取代或未取代萘酚基。可以提供一种抗蚀底层膜组合物，以形成一种能够减少反射并具有高蚀刻抗性和耐热性的抗蚀底层膜。