indium tris(diethyldithiocarbamate) | 15741-07-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机硫化合物
• 英文名称: indium tris(diethyldithiocarbamate)
• 英文别名: [In(DTC)₃]；[In(diethyldithiocarbamate)₃]；tris(diethyldithiocarbamato)indium(III)；indium(III) diethyldithiocarbamate；indium(III) tris(diethyldithiocarbamate)；N,N-diethylcarbamodithioate;indium(3+)
• CAS: 15741-07-8
• 化学式: C₁₅H₃₀InN₃S₆
• 分子量: 559.639
• InChiKey: SMPKWJZVTOLVQM-UHFFFAOYSA-K

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.05
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  182
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  indium tris(diethyldithiocarbamate) 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 indium
  参考文献：
  名称：

  铟 (III) 的 N,N'-二烷基二硫代氨基甲酸酯螯合物：替代合成路线和热力学表征

  摘要：

  摘要 制备铟(III)、In(S 2 CNR 2 ) 3 (R = CH 3 , C 2 H 5 , n -C 3 H 7 , i -C 3 H) 的 N , N '-二烷基二硫代氨基甲酸酯配合物的替代合成路线如图7所示，从金属元素和单卤化铟中建立了n -C 4 H 9 和i -C 4 H 9 )，InX(X = Cl、Br和I)。考虑到最初产生的 XIn(S 2 C–NR 2 ) 2 的配体再分配反应，涉及 InX 的拟议反应机制可能源自 InX 插入四烷基秋兰姆二硫化物的硫-硫键。In(S 2 CNR 2 ) 3 (R = CH 3 , C 2 H 5 , n -C 3 H 7 , i -C 3 H 7 , n -C 4 H 9 和 i -C 4 H 的热分解9 ) 通过热重技术研究化合物，其中检测到两种途径，这取决于二烷基二硫代氨基甲酸根配体。第一步导致金属铟，或者在 2 S 3 中，作为

  DOI：

  10.1016/s0040-6031(98)00646-7
• 作为产物：
  描述：

  indium 、 二硫化四乙基秋兰姆 在 高氯酸四乙基铵 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 以63.8%的产率得到indium tris(diethyldithiocarbamate)
  参考文献：
  名称：

  铟 (III) 的 N,N'-二烷基二硫代氨基甲酸酯螯合物：替代合成路线和热力学表征

  摘要：

  摘要 制备铟(III)、In(S 2 CNR 2 ) 3 (R = CH 3 , C 2 H 5 , n -C 3 H 7 , i -C 3 H) 的 N , N '-二烷基二硫代氨基甲酸酯配合物的替代合成路线如图7所示，从金属元素和单卤化铟中建立了n -C 4 H 9 和i -C 4 H 9 )，InX(X = Cl、Br和I)。考虑到最初产生的 XIn(S 2 C–NR 2 ) 2 的配体再分配反应，涉及 InX 的拟议反应机制可能源自 InX 插入四烷基秋兰姆二硫化物的硫-硫键。In(S 2 CNR 2 ) 3 (R = CH 3 , C 2 H 5 , n -C 3 H 7 , i -C 3 H 7 , n -C 4 H 9 和 i -C 4 H 的热分解9 ) 通过热重技术研究化合物，其中检测到两种途径，这取决于二烷基二硫代氨基甲酸根配体。第一步导致金属铟，或者在 2 S 3 中，作为

  DOI：

  10.1016/s0040-6031(98)00646-7

文献信息

• Crystal structures of tris(diethyldithiorcarbamato)-gallium(III) and indium(III)
  作者：K. Dymock、Gus J. Palenik、J. Slezak、Colin L. Raston、Allan H. White

  DOI：10.1039/dt9760000028

  日期：——

  The crystal structures of the isosturctural title compounds. [Ga(S2C·NEt2)3](I) and [In(S2C·NEt2)3](II), have been determined by direct methods from X-ray diffraction data and refined by full-matrix least-squares to R 0.034 and 0.037 for 1 119(I) and 2 054 (II) observed diffractometer reflections. Crystals are monoclinic, space group A2/a, (Z= 4), with unit-cell dimensions: (I) : a= 14.862 (3), b=

  异结构标题化合物的晶体结构。[Ga（S 2 C·NEt 2）3 ]（I）和[In（S 2 C·NEt 2）3 ]（II），已通过直接方法从X射线衍射数据确定并通过全矩阵精制对于1 119（I）和2 054（II）观察到的衍射仪反射，最小二乘为R 0.034和0.037。晶体为单斜晶体，空间群A 2 / a，（Z = 4），晶胞尺寸为：（I）：a = 14.862（3），b = 10.244（2），c = 17.863（2）Å，β = 117.49（1）°：（II）：a＝ 14.826（5），b＝ 10.396（5），c＝ 18.139（3）Å，β＝ 117.88（3）°。离散分子的阵列代表了[M（S 2 C·NEt 2）3 ]衍生物中的新结构类型。每个分子中的三个配体是准对称的双齿，总体上具有近似D 3的分子对称性（平均Ga–S 2.436，In–S 2.597Å）。
• Alloyed (ZnS)x(CuInS2)1−x Semiconductor Nanorods: Synthesis, Bandgap Tuning and Photocatalytic Properties
  作者：Chen Ye、Michelle D. Regulacio、Suo Hon Lim、Qing-Hua Xu、Ming-Yong Han

  DOI：10.1002/chem.201201626

  日期：2012.9.3

  nanocrystals of the semiconductor alloy (ZnS)x(CuInS2)1−x (ZCIS) have been colloidally prepared by using a one‐pot non‐injection‐based synthetic strategy. The ZCIS nanorods crystallize in the hexagonal wurtzite structure and display preferential growth in the direction of the c axis. The bandgap of these quarternary alloyed nanorods can be conveniently tuned by varying the ratio of ZnS to CuInS2. A non‐linear

  半导体合金（ZnS）x（CuInS 2）1- x（ZCIS）的棒状纳米晶体是通过单罐非注入合成策略胶体制备的。ZCIS纳米棒以六方纤锌矿结构结晶，并在c轴方向显示优先生长。通过改变ZnS与CuInS 2的比例，可以方便地调节这些四元合金纳米棒的带隙。观察到带隙与合金成分之间存在非线性关系。发现ZCIS纳米棒在可见光驱动的若丹明B降解中显示出有希望的光催化行为。
• Synthesis and characterisation of Ga- and In-doped CdS by solventless thermolysis of single source precursors
  作者：Suliman A. Alderhami、Ruben Ahumada-Lazo、Mark A. Buckingham、David J. Binks、Paul O'Brien、David Collison、David J. Lewis

  DOI：10.1039/d3dt00239j

  日期：——

  We report a facile and low temperature synthesis of Ga- and In-doped CdS nanoparticles from molecular precursors. Diethyldithiocarbamate complexes of Cd(II), Ga(III), and In(III), were synthesised and decomposed in tandem through solventless thermolysis, producing Ga- or In-doped CdS. The resultant MxCd1−xS1+0.5x (where M = Ga/In at x values of 0, 0.02, 0.04, 0.06, 0.08 and 0.1) particulate powder

  我们报告了从分子前体轻松和低温合成 Ga 和 In 掺杂的 CdS 纳米粒子。合成了 Cd( II )、Ga( III ) 和 In( III ) 的二乙基二硫代氨基甲酸酯络合物，并通过无溶剂热解串联分解，产生 Ga 或 In 掺杂的 CdS。所得的 M x Cd 1− x S 1+0.5 x（其中 M = Ga/In 在x通过粉末 X 射线衍射分析了 0、0.02、0.04、0.06、0.08 和 0.1 的值）颗粒粉末，结果表明 Ga（通过所有掺杂水平）和 In（在掺杂水平 <8 mol%）均成功结合进入六角形 CdS 晶格，没有任何杂质。拉曼光谱也显示 CdS 没有显着变化。扫描电子显微镜和能量色散 X 射线光谱用于研究掺杂 CdS 材料的形貌和元素色散，显示掺杂剂的均匀结合。掺杂的 M x Cd 1− x S 1+0.5 x的光学和发光特性分别通过紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱检
• Geloso, Corrado; Kumar, Rajesh; Lopez-Grado, Jaime Romero, Canadian Journal of Chemistry, 1987, vol. 65, p. 928 - 932
  作者：Geloso, Corrado、Kumar, Rajesh、Lopez-Grado, Jaime Romero、Tuck, Dennis G.

  DOI：——

  日期：——
• Preparation and characterization of n- and i-butylindium thiolate
  作者：Ryoki Nomura、Shin'ji Inazawa、Kouichi Kanaya、Haruo Matsuda

  DOI：10.1016/s0277-5387(00)83845-0

  日期：1989.1