3-methylthio-6-phenyl-2-methoxynaphthalene | 1310197-78-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 3-methylthio-6-phenyl-2-methoxynaphthalene
• 英文别名: 2-methoxy-3-methylthio-6-phenylnaphthalene；3-Methylthio-6-phenyl-2-methoxynaphthalene；2-methoxy-3-methylsulfanyl-6-phenylnaphthalene
• CAS: 1310197-78-4
• 化学式: C₁₈H₁₆OS
• 分子量: 280.39
• InChiKey: XRGRMKUQUMFEQE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  <30 °C(Solv: hexane (110-54-3))
• 沸点：
  442.6±33.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.18±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.3
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.11
• 拓扑面积：
  34.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-methylthio-6-phenyl-2-methoxynaphthalene 在 三溴化硼 、 水 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 19.0h， 以73%的产率得到3-methylthio-6-phenyl-2-naphthol
  参考文献：
  名称：

  Dinaphtho [2,3- b：2'，3'- f ] thieno [3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的一般合成

  摘要：

  描述了一种由容易获得的2-甲氧基萘直接合成二萘并[2,3- b：2'，3'- f ]噻吩并[3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的方法。因此，新开发的DNTT衍生物在蒸汽处理的场效应晶体管中显示出非常高的场效应迁移率，最高可达8 cm 2 V –1 s –1。

  DOI：

  10.1021/ol2010837
• 作为产物：
  描述：

  2-溴-6-甲氧基萘 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 正丁基锂 、 tripotassium phosphate "n" hydrate 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 25.0h， 生成 3-methylthio-6-phenyl-2-methoxynaphthalene
  参考文献：
  名称：

  Dinaphtho [2,3- b：2'，3'- f ] thieno [3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的一般合成

  摘要：

  描述了一种由容易获得的2-甲氧基萘直接合成二萘并[2,3- b：2'，3'- f ]噻吩并[3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的方法。因此，新开发的DNTT衍生物在蒸汽处理的场效应晶体管中显示出非常高的场效应迁移率，最高可达8 cm 2 V –1 s –1。

  DOI：

  10.1021/ol2010837

文献信息

• Novel Heterocyclic Compound, Method For Producing Intermediate Therefor, And Use Thereof
  申请人：Takimiya Kazuo

  公开号：US20130330876A1

  公开（公告）日：2013-12-12

  Provided are a novel heterocyclic compound represented by formula (1), and a field-effect transistor having a semiconductor layer comprising the aforementioned compound. Also provided is a method for producing an intermediate enabling the production of the aforementioned novel heterocyclic compound. (In the formula, R 1 and R 2 represent a hydrogen atom, a C 2-16 alkyl group or an aryl group. However, when R 1 each independently represents a C 2-16 alkyl group or an aryl group, R 2 represents a hydrogen atom or each independently represents an aryl group; and when R 1 represents a hydrogen atom, R 2 each independently represents an aryl group.)

  提供了一种由式（1）表示的新型杂环化合物，以及具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。还提供了一种生产中间体以便生产上述新型杂环化合物的方法。（在式中，R1和R2表示氢原子，C2-16烷基或芳基。但是，当R1各自独立表示C2-16烷基或芳基时，R2表示氢原子或各自独立表示芳基;当R1表示氢原子时，R2各自独立表示芳基。）
• Heterocyclic dinaphtho thieno thiophene (DNTT) compounds for use as organic semiconductor thin films in field effect transistors and related methods
  申请人：Takimiya Kazuo

  公开号：US09018630B2

  公开（公告）日：2015-04-28

  Provided are a novel heterocyclic compound represented by formula (1), and a field-effect transistor having a semiconductor layer comprising the aforementioned compound. Also provided is a method for producing an intermediate enabling the production of the aforementioned novel heterocyclic compound. (In the formula, R1 and R2 represent a hydrogen atom, a C2-16 alkyl group or an aryl group. However, when R1 each independently represents a C2-16 alkyl group or an aryl group, R2 represents a hydrogen atom or each independently represents an aryl group; and when R1 represents a hydrogen atom, R2 each independently represents an aryl group.)

  提供了一种由式(1)表示的新型杂环化合物，以及具有包括上述化合物的半导体层的场效应晶体管。还提供了一种生产使上述新型杂环化合物的生产成为可能的中间体的方法。(在式中，R1和R2代表氢原子、C2-16烷基或芳基。但是，当R1各自独立地表示C2-16烷基或芳基时，R2表示氢原子或各自独立地表示芳基；当R1表示氢原子时，R2各自独立地表示芳基。)
• General Synthesis of Dinaphtho[2,3-<i>b</i>:2′,3′-<i>f</i>]thieno[3,2-<i>b</i>]thiophene (DNTT) Derivatives
  作者：Kazuki Niimi、Myeong Jin Kang、Eigo Miyazaki、Itaru Osaka、Kazuo Takimiya

  DOI：10.1021/ol2010837

  日期：2011.7.1

  A new straightforward synthesis of dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT) derivatives from readily available 2-methoxynaphthalenes is described. Thus, newly developed derivatives of DNTT showed very high field effect mobility in the vapor-processed field-effect transistors up to 8 cm2 V–1 s–1.

  描述了一种由容易获得的2-甲氧基萘直接合成二萘并[2,3- b：2'，3'- f ]噻吩并[3,2- b ]噻吩（DNTT）衍生物的方法。因此，新开发的DNTT衍生物在蒸汽处理的场效应晶体管中显示出非常高的场效应迁移率，最高可达8 cm 2 V –1 s –1。