π堆叠半导体聚合物中悬垂共轭链段的π电子耦合总是会导致缺陷捕获位点的形成并进一步猝灭高能带激子,这对深蓝色聚合物发光二极管(PLED)的性能和稳定性有害。在此,考虑到聚(
N-乙烯基咔唑)(PVK)中的“缺陷”
咔唑(Cz)电体,在侧链段(P
VCz-
DMeF、P
VCz-
FMeNPh和P
VCz-D
FMeNPh)中引入一系列
芴单元以抑制强电势。悬垂 Cz 单元的 π 电子耦合并增强辐射跃迁致力于制造稳定的 PLED。与 P
VCz-
FMeNPh 和 P
VCz-D
FMeNPh 相比,P
VCz-
DMeF 旋涂薄膜表现出相对有效的深蓝色发射,与其单个悬垂发色团完全相似,证实了相邻悬垂片段之间极弱的电荷转移和电子耦合。因此,基于P
VCz-
DMeF的PLED呈现出稳定的深蓝色发射,具有高色纯度(0.17,0.08),并且在600∼700 nm处具有极弱的缺陷发射(由
咔唑静电体引起)。最后,基于 P
VCz-
DMeF/F8BT