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6-bis(thiophen-3-ylsulfanyl)thieno[3,2-b]thiophene | 1117790-53-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
6-bis(thiophen-3-ylsulfanyl)thieno[3,2-b]thiophene
英文别名
3,6-Bis(thiophen-3-ylsulfanyl)thieno[3,2-b]thiophene;3,6-bis(thiophen-3-ylsulfanyl)thieno[3,2-b]thiophene
6-bis(thiophen-3-ylsulfanyl)thieno[3,2-b]thiophene化学式
CAS
1117790-53-0
化学式
C14H8S6
mdl
——
分子量
368.614
InChiKey
DPQPHCNXGQQNMA-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    6.2
  • 重原子数:
    20
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    164
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    6

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    6-bis(thiophen-3-ylsulfanyl)thieno[3,2-b]thiophene正丁基锂 、 copper dichloride 作用下, 以 乙醚正己烷 为溶剂, 反应 2.0h, 以6%的产率得到hexathienoacene
    参考文献:
    名称:
    六ie并六苯:合成,表征和薄膜晶体管
    摘要:
    合成了一种新的六噻吩并并苯(HTA)的线性六噻吩融合系统,在有机半导体的光学,电化学和电荷转移性质方面,它也已与戊并并苯(PTA)进行了比较。在正十八烷基三氯硅烷(OTS)处理的SiO 2 / Si基板上,实现了最高迁移率0.06 cm 2  V -1  s -1和电流开/关比为10 5。
    DOI:
    10.1002/asia.201000001
  • 作为产物:
    描述:
    噻吩并[3,2-b]噻吩正丁基锂溶剂黄146 作用下, 以 乙醚正己烷氯仿 为溶剂, 反应 1.0h, 生成 6-bis(thiophen-3-ylsulfanyl)thieno[3,2-b]thiophene
    参考文献:
    名称:
    六ie并六苯:合成,表征和薄膜晶体管
    摘要:
    合成了一种新的六噻吩并并苯(HTA)的线性六噻吩融合系统,在有机半导体的光学,电化学和电荷转移性质方面,它也已与戊并并苯(PTA)进行了比较。在正十八烷基三氯硅烷(OTS)处理的SiO 2 / Si基板上,实现了最高迁移率0.06 cm 2  V -1  s -1和电流开/关比为10 5。
    DOI:
    10.1002/asia.201000001
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文献信息

  • Hexathienoacene: Synthesis, Characterization, and Thin-Film Transistors
    作者:Ying Liu、Xiangnan Sun、Chong-an Di、Yunqi Liu、Chunyan Du、Kun Lu、Shanghui Ye、Gui Yu
    DOI:10.1002/asia.201000001
    日期:——
    A new linear six thiophene‐fused system of hexathienoacene (HTA) has been synthesized, which has also been compared with pentathienoacene (PTA) in terms of optical, electrochemical, and charge‐transfer properties of organic semiconductors. The highest mobility of 0.06 cm2 V−1 s−1 with a current on/off ratio of 105 on n‐octadecyltrichlorosilane (OTS)‐treated SiO2/Si substrates has been achieved.
    合成了一种新的六噻吩并并苯(HTA)的线性六噻吩融合系统,在有机半导体的光学,电化学和电荷转移性质方面,它也已与戊并并苯(PTA)进行了比较。在正十八烷基三氯硅烷(OTS)处理的SiO 2 / Si基板上,实现了最高迁移率0.06 cm 2  V -1  s -1和电流开/关比为10 5。
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