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5-sec-butyl-2-hydroxy-benzoic acid methyl ester | 53434-24-5

中文名称
——
中文别名
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英文名称
5-sec-butyl-2-hydroxy-benzoic acid methyl ester
英文别名
5-sec-Butyl-2-hydroxy-benzoesaeure-methylester;methyl 2-hydroxy-5-sec-butyl benzoate;Methyl 5-butan-2-yl-2-hydroxybenzoate
5-<i>sec</i>-butyl-2-hydroxy-benzoic acid methyl ester化学式
CAS
53434-24-5
化学式
C12H16O3
mdl
——
分子量
208.257
InChiKey
LSQCDXOSYMTNFK-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    284.9±28.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.082±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.6
  • 重原子数:
    15
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.42
  • 拓扑面积:
    46.5
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    3

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    Hydrazide salts
    摘要:
    具有一般式##SPC1##的化合物,其中R.sup.1,R.sup.2,R.sup.3和R.sup.4可以相同也可以不同,并且代表氢,具有1至20个碳原子的直链或支链烷基基团,具有7至20个碳原子的芳基烷基基团,可以被具有1至4个碳原子的一个或多个烷基基团取代,或者可以是以下类型:##SPC2##其中R.sup.5和R.sup.6分别是氢原子或甲基基团,每个R代表R.sup.1,R.sup.2,R.sup.3和R.sup.4的其他部分,具有2至20个碳原子的烯基基团;具有5至12个碳原子的环烷基基团,可以被具有1至4个碳原子的一个或多个烷基基团取代;具有6至10个碳原子的芳基基团;具有7至12个碳原子的烷基芳基基团;其中烷基部分具有2或3个碳原子,环己烯基环可能含有一个甲基基团作为取代基的环己基烷基基团;其中烯基部分具有2或3个碳原子,环己基环也可能含有一个甲基基团作为取代基的烯基环烷基基团;或者一个基团-OR.sup.7,其中R.sup.7代表具有1至20个碳原子的烷基基团,具有5至12个碳原子的环烷基基团,可以选择地被具有1至4个碳原子的一个或多个烷基基团取代,具有6至10个碳原子的芳基基团或具有3至20个碳原子的烯基基团;或者任意两个相邻的基团R.sup.1,R.sup.2,R.sup.3和R.sup.4可以连接在一起形成一个芳基环,该环可以被具有1至20个碳原子的一个或多个烷基基团取代;X代表阴离子;n是X的化合价,用于从水溶液中提取金属。
    公开号:
    US03932505A1
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文献信息

  • RESIST COMPOSITION CONTAINING NOVEL SULFONIUM COMPOUND, PATTERN-FORMING METHOD USING THE RESIST COMPOSITION, AND NOVEL SULFONIUM COMPOUND
    申请人:KAMIMURA Sou
    公开号:US20090042124A1
    公开(公告)日:2009-02-12
    A resist composition includes (A) a compound represented by the following formula (I): wherein each of R 1 to R 13 independently represents a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of R 1 to R 13 is a substituent containing an alcoholic hydroxyl group; Z represents a single bond or a divalent linking group; and X − represents an anion containing a proton acceptor functional group.
    一种抗性组合物包括(A)由以下公式(I)所代表的化合物:其中R1至R13中的每一个独立地代表氢原子或取代基,前提是R1至R13中至少有一个是含有醇羟基的取代基;Z代表单键或二价连接基团;X-代表含有质子受体功能基团的阴离子。
  • ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, MASK BLANK PROVIDED WITH ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND COMPOUND
    申请人:FUJIFILM Corporation
    公开号:US20160280675A1
    公开(公告)日:2016-09-29
    The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes a crosslinking agent having a polarity converting group and an alkali-soluble resin, in which the polarity converting group is a group capable of decomposing by the action of an alkaline aqueous solution to generate a carboxylic acid or sulfonic acid on the side having a crosslinking group.
    感光树脂或辐射敏感树脂组合物包括具有极性转换基团和可溶于碱性树脂的交联剂,其中极性转换基团是一种能够通过碱性水溶液作用分解并在具有交联基团的侧面生成羧酸或磺酸的基团。
  • POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
    申请人:HIRANO Shuji
    公开号:US20080248419A1
    公开(公告)日:2008-10-09
    A positive resist composition, includes: (A) a resin that has a group having absorption at 248 nm at a main chain terminal of the resin (A), and a pattern forming method uses the composition.
    一种正性光刻胶组合物,包括:(A)一种具有在树脂(A)的主链端具有在248nm处吸收的基团的树脂,并且使用该组合物进行图案形成的方法。
  • POSITIVE RESIST COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION, AND COMPOUND FOR USE IN THE COMPOSITION
    申请人:Takahashi Hidenori
    公开号:US20110183258A1
    公开(公告)日:2011-07-28
    A positive resist composition comprising (A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, (B) a resin capable of increasing the solubility in an alkali developer by the action of an acid, and (C) a compound having a specific structure, which decomposes by the action of an acid to generate an acid, a pattern forming method using the positive resist composition, and a compound for use in the positive resist composition are provided as a positive resist composition exhibiting good performance in terms of pattern profile, line edge roughness, pattern collapse, sensitivity and resolution in normal exposure (dry exposure), immersion exposure and double exposure, a pattern forming method using the positive resist composition and a compound for use in the positive resist composition.
    本发明提供了一种正性光阻组合物,包括(A)一种在与光致发色剂或辐射照射时能够产生酸的化合物,(B)一种树脂,能够通过酸的作用增加在碱性显影剂中的溶解度,以及(C)一种具有特定结构的化合物,能够通过酸的作用分解产生酸。该正性光阻组合物在正常曝光(干曝光)、浸没曝光和双重曝光中表现出良好的图案形貌、线边粗糙度、图案坍塌、灵敏度和分辨率性能。同时,本发明提供了一种使用该正性光阻组合物的图案形成方法以及用于该正性光阻组合物的化合物。
  • ACTIVE LIGHT RAY SENSITIVE OR RADIOACTIVE RAY SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND ACTIVE LIGHT RAY SENSITIVE OR RADIOACTIVE RAY SENSITIVE FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
    申请人:KAWABATA Takeshi
    公开号:US20120082939A1
    公开(公告)日:2012-04-05
    An active light ray sensitive or radioactive ray sensitive resin composition which satisfies high sensitivity, high resolution, good pattern configuration, and good line edge roughness at the same time to a great extent, while having sufficiently good outgassing performance during exposure, and an active light ray sensitive or radioactive ray sensitive film formed by using the composition, and a pattern-forming method, are provided. The active light ray sensitive or radioactive ray sensitive resin composition according to the present invention includes a resin (P) containing a repeating unit (A) which decomposes by irradiation with active light ray or radioactive ray to generate an acid, and a repeating unit (C) containing a primary or secondary hydroxyl group.
    提供了一种活性光线敏感或放射线敏感的树脂组合物,其在很大程度上同时满足高灵敏度、高分辨率、良好的图案配置和良好的线边粗糙度,同时在曝光期间具有足够好的排气性能,以及使用该组合物形成的活性光线敏感或放射线敏感薄膜和形成图案的方法。本发明的活性光线敏感或放射线敏感的树脂组合物包括含有重复单元(A)的树脂(P),该重复单元通过活性光线或放射线辐射分解生成酸,并且含有主要或次要羟基的重复单元(C)。
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