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4,8-bis(trimethylsilylethynyl)-2,6-dimethylbenzo[1,2-d-4,5-d']bisoxazole | 1337927-57-7

中文名称
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中文别名
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英文名称
4,8-bis(trimethylsilylethynyl)-2,6-dimethylbenzo[1,2-d-4,5-d']bisoxazole
英文别名
2-[2,6-Dimethyl-4-(2-trimethylsilylethynyl)-[1,3]oxazolo[5,4-f][1,3]benzoxazol-8-yl]ethynyl-trimethylsilane
4,8-bis(trimethylsilylethynyl)-2,6-dimethylbenzo[1,2-d-4,5-d']bisoxazole化学式
CAS
1337927-57-7
化学式
C20H24N2O2Si2
mdl
——
分子量
380.594
InChiKey
ASKZXMOXIXGYHV-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.04
  • 重原子数:
    26
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.4
  • 拓扑面积:
    52.1
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    四溴对苯醌ammonium hydroxidecopper(l) iodide 、 sodium dithionite 、 trans-bis(triphenylphosphine)palladium dichloride 、 二异丙胺三苯基膦 、 yttrium(III) trifluoromethanesulfonate 作用下, 以 四氢呋喃乙二醇甲醚乙酸酯乙醇N,N-二甲基乙酰胺 为溶剂, 反应 3.5h, 生成 4,8-bis(trimethylsilylethynyl)-2,6-dimethylbenzo[1,2-d-4,5-d']bisoxazole
    参考文献:
    名称:
    通过炔烃取代来调节4,8-二取代的苯并二恶唑的光学和电子性质
    摘要:
    为了设计用于合成共轭材料的新的电子不足的结构单元,一系列新的反式合成了在4,8-位带有卤素或炔基取代基的苯并二恶唑。此外,还研究了这些修饰对光学和电子性能的影响。理论计算预测,各种炔烃的掺入可用于调节这些小分子的能级和带隙。使用两步反应序列,可以容易地以高收率制备目标4,8-二取代的苯并二恶唑:路易斯酸催化原酸酯环化,然后进行Sonogashira交叉偶联。实验确定的这些4,8-二取代的苯并二恶唑的HOMO值在-4.97至-6.20 eV的范围内,并且与理论预测值显示出合理的相关性,百分比偏差在2.4-12.8%的范围内。然而,当理论值外推至长链极限并与含有4,8-二取代的苯并双恶唑的共聚物进行比较时,实际HOMO值与预测HOMO值之间的偏差降低至小于3.5%。总的来说,这些结果表明这些4,8-二取代反式苯并二恶唑可用于合成具有可变和可预测电子特性的新型共轭材料。
    DOI:
    10.1021/jo201078w
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文献信息

  • Tuning the Optical and Electronic Properties of 4,8-Disubstituted Benzobisoxazoles via Alkyne Substitution
    作者:Brian C. Tlach、Aimée L. Tomlinson、Achala Bhuwalka、Malika Jeffries-EL
    DOI:10.1021/jo201078w
    日期:2011.11.4
    In an effort to design new electron-deficient building blocks for the synthesis of conjugated materials, a series of new trans-benzobisoxazoles bearing halogen or alkynyl substituents at the 4,8-positions was synthesized. Additionally, the impact of these modifications on the optical and electronic properties was investigated. Theoretical calculations predicted that the incorporation of various alkynes
    为了设计用于合成共轭材料的新的电子不足的结构单元,一系列新的反式合成了在4,8-位带有卤素或炔基取代基的苯并二恶唑。此外,还研究了这些修饰对光学和电子性能的影响。理论计算预测,各种炔烃的掺入可用于调节这些小分子的能级和带隙。使用两步反应序列,可以容易地以高收率制备目标4,8-二取代的苯并二恶唑:路易斯酸催化原酸酯环化,然后进行Sonogashira交叉偶联。实验确定的这些4,8-二取代的苯并二恶唑的HOMO值在-4.97至-6.20 eV的范围内,并且与理论预测值显示出合理的相关性,百分比偏差在2.4-12.8%的范围内。然而,当理论值外推至长链极限并与含有4,8-二取代的苯并双恶唑的共聚物进行比较时,实际HOMO值与预测HOMO值之间的偏差降低至小于3.5%。总的来说,这些结果表明这些4,8-二取代反式苯并二恶唑可用于合成具有可变和可预测电子特性的新型共轭材料。
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