Tolylen-3,4-diisocyanat | 13879-33-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: Tolylen-3,4-diisocyanat
• 英文别名: 4-Methyl-phenylene isocyanate；1,2-diisocyanato-4-methylbenzene
• CAS: 13879-33-9
• 化学式: C₉H₆N₂O₂
• 分子量: 174.159
• InChiKey: RMLOYAZEIZIABM-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  266.4±33.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.14±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.9
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.11
• 拓扑面积：
  58.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Tolylen-3,4-diisocyanat 、 苯甲醇 在 三乙胺 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 15.0h， 以330 mg的产率得到dibenzyl (4-methyl-1,3-phenylene)dicarbamate
  参考文献：
  名称：

  钯催化合成氨基甲酸芳基酯

  摘要：

  通过将醇引入钯催化的 ArX (X = Cl, OTf) 与氰酸钠的交叉偶联反应中，实现了芳基氨基甲酸酯的有效合成。在此转化中使用芳基三氟甲磺酸酯作为亲电组分允许扩大用于直接合成芳基异氰酸酯的底物范围。该方法提供了对主要氨基甲酸酯保护基团、S-硫代氨基甲酸酯和聚氨酯材料的二异氰酸酯前体的直接访问。

  DOI：

  10.1021/ol400369n
• 作为产物：
  描述：

  5-chloro-2-methylphenyl trifluoromethanesulfonate 、 sodium isocyanate 在 tris-(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) 、 2-二叔丁基膦-2′,4′,6′-三异丙基-3,6-二甲氧基-1,1′-联苯 、 三(3,6-二氧杂庚基)胺 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 16.0h， 生成 Tolylen-3,4-diisocyanat
  参考文献：
  名称：

  钯催化合成氨基甲酸芳基酯

  摘要：

  通过将醇引入钯催化的 ArX (X = Cl, OTf) 与氰酸钠的交叉偶联反应中，实现了芳基氨基甲酸酯的有效合成。在此转化中使用芳基三氟甲磺酸酯作为亲电组分允许扩大用于直接合成芳基异氰酸酯的底物范围。该方法提供了对主要氨基甲酸酯保护基团、S-硫代氨基甲酸酯和聚氨酯材料的二异氰酸酯前体的直接访问。

  DOI：

  10.1021/ol400369n

文献信息

• NONAQUEOUS ELECTROLYTE SOLUTION AND ENERGY DEVICE USING SAME
  申请人：MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION

  公开号：US20200274199A1

  公开（公告）日：2020-08-27

  The present invention provides an energy device having excellent properties. Also provided is a nonaqueous electrolyte solution containing a compound represented by the following Formula (1), wherein R 11 , R 12 and R 13 each independently represent an organic group having 1 to 3 carbon atoms; and R 11 and R 12 , R 11 and R 13 , or R 12 and R 13 are optionally bound with each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring, with a proviso that a total number of carbon atoms of R 11 , R 12 and R 13 is 7 or less.

  本发明提供了一种具有优异性能的能源装置。同时还提供了一种非水电解质溶液，其中包含由以下式（1）表示的化合物，其中R11、R12和R13各自独立地表示具有1到3个碳原子的有机基团；且R11和R12、R11和R13或R12和R13可以选择地相互结合形成一个5元环或6元环，条件是R11、R12和R13的总碳原子数不超过7。
• COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM AND METHOD FOR FORMING PATTERN
  申请人：MINEGISHI Shin-ya

  公开号：US20120252217A1

  公开（公告）日：2012-10-04

  A resist underlayer film-forming composition includes (A) a polymer that includes a repeating unit shown by a formula (1), and has a polystyrene-reduced weight average molecular weight of 3000 to 10,000, and (B) a solvent, wherein R 3 to R 8 individually represent a group shown by the following formula (2) or the like, —O—R 1 ≡R 2 (2) wherein R 1 represents a single bond or the like, and R 2 represents a hydrogen atom or the like.

  一种抗反射底层膜形成组合物，包括(A)一种聚合物，其中包括由公式（1）所示的重复单元，并具有聚苯乙烯还原重均分子量在3000至10000之间，以及(B)一种溶剂，其中R3到R8分别表示由以下公式（2）或类似公式所示的基团，-O-R1≡R2（2），其中R1表示一个单键或类似物，R2表示氢原子或类似物。
• METHOD OF FORMING PATTERN AND COMPOSITION FOR FORMING OF ORGANIC THIN-FILM FOR USE THEREIN
  申请人：Shimizu Daisuke

  公开号：US20100233635A1

  公开（公告）日：2010-09-16

  A method for forming a pattern contains (1) a step of forming an underlayer film containing (A) a radiation-sensitive acid generator capable of generating an acid upon exposure to radiation rays or (B) a radiation-sensitive base generator capable of generating a base upon exposure to radiation rays on a substrate; (2) a step of irradiating the underlayer film with radiation rays through a mask with a predetermined pattern to obtain an exposed underlayer film portion having been selectively exposed through the predetermined pattern; (3) a step of forming (C) an organic thin film on the underlayer film so as to attain chemical bonding of the exposed underlayer film portion with the organic thin-film formed on the exposed underlayer film portion; and (4) a step of removing the organic thin film formed on areas of the underlayer film other than the exposed underlayer film portion.

  一种形成图案的方法包括：（1）在基板上形成一个底层薄膜，该底层薄膜包含（A）一种辐射敏感的酸发生剂，能够在辐射射线的作用下产生酸，或者（B）一种辐射敏感的碱发生剂，能够在辐射射线的作用下产生碱；（2）通过一个预定图案的掩模，用辐射射线照射底层薄膜，以获得已通过预定图案选择性暴露的底层薄膜部分；（3）在底层薄膜上形成一层有机薄膜，以实现暴露的底层薄膜部分与形成在暴露的底层薄膜部分上的有机薄膜的化学键合；（4）去除除暴露的底层薄膜部分外的底层薄膜区域上形成的有机薄膜。
• RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN
  申请人：Minegishi Shin-ya

  公开号：US20120270157A1

  公开（公告）日：2012-10-25

  A resist underlayer film-forming composition includes a polymer including a structural unit shown by a formula (1), and having a polystyrene-reduced weight average molecular weight of from 3000 to 10000, and a solvent. Each of R 3 to R 8 independently represents a group shown by a formula (2), a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, or a glycidyl ether group having 3 to 6 carbon atoms, wherein at least one of R 3 to R 8 represents the group shown by the formula (2).

  一种抗蚀底层膜形成组合物包括一种聚合物，其中包括一个由公式（1）表示的结构单元，其聚苯乙烯减少的重量平均分子量为3000至10000，以及一种溶剂。其中R3到R8中的每个独立表示由公式（2）表示的基团，氢原子，羟基，具有1至6个碳原子的烷基，具有1至6个碳原子的烷氧基，具有2至10个碳原子的烷氧羰基，具有6至14个碳原子的芳基或具有3至6个碳原子的环氧醚基团，其中R3到R8中至少有一个表示为公式（2）所示的基团。
• RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION
  申请人：JSR Corporation

  公开号：US20130310514A1

  公开（公告）日：2013-11-21

  A resist underlayer film-forming composition includes a polymer including a repeating unit shown by a formula (1), and having a polystyrene-reduced weight average molecular weight of 3000 to 10,000, and a solvent. Each of R 3 to R 8 individually represent a group shown by the following formula (2) or the like. R 1 represents a single bond or the like. R 2 represents a hydrogen atom or the like.

  一种抗阻层膜形成组合物包括一个聚合物，该聚合物包括由公式（1）所示的重复单元，并且具有分子量为3000至10000的聚苯乙烯降低的重量平均分子量，以及溶剂。R3到R8中的每一个分别表示以下公式（2）或类似物所示的基团。R1表示单键或类似物。R2表示氢原子或类似物。