(100) textured fine-grain (lateral grain size congruent with 0.1 to 0.15 mu}m) PbZrsub x}Tisub 1-x}Osub 3} (PZT) (x=0 to 0.7) were grown on conductive perovskite LaNiOsub 3}-buffered platinized Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition. Domain configuration and crystalline orientation were studied using x-ray diffraction and transmission electron microscopy. The predominant domain boundaries
                                    高度 (100) 织构的细晶粒薄膜(横向晶粒尺寸与 0.1 至 0.15 μ}m 一致)PbZrsub x}Tisub 1-x}Osub 3} (
PZT) (x=0 至0.7)通过
金属有机
化学气相沉积在导电
钙钛矿LaNiOsub 3}-缓冲的镀
铂Si衬底上生长。使用 X 射线衍射和透射电子显微镜研究域配置和晶体取向。发现富
钛四方相 
PZT 和富
锆菱形相 
PZT 的主要畴边界分别位于 (110) 平面和 (100) 平面上。基于转变应变、晶粒尺寸和域边界能量,观察平衡域宽度并进行数值估计。介电常数的峰值在同向边界附近为 790。证明了这些 
PZT 薄膜的滞后行为。发现矫顽力随着Zr含量的增加而减小;这种变化归因于畴密度和极化轴的多样性。此外,所有样品均观察到低漏电流(J<=}5x10sup -7} A/cmsup 2} at V=4 V),并建议涉及几种可能的传导机制。(c)