1,1-difluoro-2-(2-hydroxy-2-phenylethoxy)ethanesulfonic acid sodium salt | 1392417-57-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 1,1-difluoro-2-(2-hydroxy-2-phenylethoxy)ethanesulfonic acid sodium salt
• 英文别名: 1,1-Difluoro-2-(2-hydroxy-2-phenylethoxy)ethanesulfonic acid sodium salt；sodium;1,1-difluoro-2-(2-hydroxy-2-phenylethoxy)ethanesulfonate
• CAS: 1392417-57-0
• 化学式: C₁₀H₁₁F₂O₅S*Na
• 分子量: 304.247
• InChiKey: XBVSRHLTLPWCCL-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.12
• 重原子数：
  19
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  95
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,1-difluoro-2-(2-hydroxy-2-phenylethoxy)ethanesulfonic acid sodium salt 在 三乙胺 作用下， 以 1,1-二氯乙烷 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 benzoic acid 2-(2,2-difluoro-2-sulfoethoxy)-1-phenylethyl ester diphenyl fluorophenyl sulfonium salt
  参考文献：
  名称：

  PHOTOACID GENERATOR, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND RESIST COMPOSITION COMPRISING THE SAME

  摘要：

  提供以下公式（1）所代表的光酸发生剂、生产光酸发生剂的方法以及含有光酸发生剂的抗蚀组合物。在公式（1）中，Y1、Y2、X、R1、R2、n1、n2和A+的含义与发明详细说明中定义的含义相同。该光酸发生剂可以在ArF液体浸没光刻时保持适当的接触角，可以减少液体浸没光刻过程中发生的缺陷，并且在抗蚀溶剂中具有优异的溶解性和与树脂的优异兼容性。此外，该光酸发生剂可以通过使用工业上易获得的环氧化合物进行高效简单的生产方法制备。

  公开号：

  US20120203024A1
• 作为产物：
  描述：

  氧化苯乙烯 、 1,1-difluoro-2-hydroxyethanesulfonic acid sodium salt 在 硫酸 作用下， 以 1,1-二氯乙烷 为溶剂， 反应 2.0h， 以86%的产率得到1,1-difluoro-2-(2-hydroxy-2-phenylethoxy)ethanesulfonic acid sodium salt
  参考文献：
  名称：

  PHOTOACID GENERATOR, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND RESIST COMPOSITION COMPRISING THE SAME

  摘要：

  提供以下公式（1）所代表的光酸发生剂、生产光酸发生剂的方法以及含有光酸发生剂的抗蚀组合物。在公式（1）中，Y1、Y2、X、R1、R2、n1、n2和A+的含义与发明详细说明中定义的含义相同。该光酸发生剂可以在ArF液体浸没光刻时保持适当的接触角，可以减少液体浸没光刻过程中发生的缺陷，并且在抗蚀溶剂中具有优异的溶解性和与树脂的优异兼容性。此外，该光酸发生剂可以通过使用工业上易获得的环氧化合物进行高效简单的生产方法制备。

  公开号：

  US20120203024A1

文献信息

• Photoacid generator, method for producing the same, and resist composition comprising the same
  申请人：Oh Jung Hoon

  公开号：US08889901B2

  公开（公告）日：2014-11-18

  A photoacid generator represented by the following formula (1), a method for producing the photoacid generator, and a resist composition containing the photoacid generator are provided. wherein in the formula (1), Y, X, R1, R2, n1, n2 and A+ have the same meanings as defined in the detailed description of the invention. The photoacid generator can maintain an appropriate contact angle at the time of ArF liquid immersion lithography, can reduce defects occurring during liquid immersion lithography, and has excellent solubility in resist solvents and excellent compatibility with resins. Furthermore, the photoacid generator can be produced by an efficient and simple method using an epoxy compound that is industrially easily available.

  本发明提供了一种由以下式子（1）所代表的光酸发生剂、制备该光酸发生剂的方法以及含有该光酸发生剂的抗蚀剂组合物。在式（1）中，Y、X、R1、R2、n1、n2和A+的含义与本发明详细说明中定义的含义相同。该光酸发生剂在ArF液体浸没光刻时可以保持适当的接触角，可以减少液体浸没光刻时发生的缺陷，并且在抗蚀剂溶剂中具有优异的溶解性和与树脂的优异相容性。此外，该光酸发生剂可以通过使用工业上易得的环氧化合物进行高效简单的方法制备。
• US8617789B2
  申请人：——

  公开号：US8617789B2

  公开（公告）日：2013-12-31
• US8889901B2
  申请人：——

  公开号：US8889901B2

  公开（公告）日：2014-11-18