[EN] RADIATION SENSITIVE TERPOLYMER, PHOTORESIST COMPOSITIONS THEREOF AND 193 nm BILAYER SYSTEMS<br/>[FR] TERPOLYMERE RADIOSENSIBLE, COMPOSITIONS DE RESINE PHOTOSENSIBLE A BASE DE CE TERPOLYMERE ET SYSTEMES A DEUX COUCHES DE 193 NM
申请人:OLIN MICROELECTRONIC CHEMICALS, INC.
公开号:WO1999042903A1
公开(公告)日:1999-08-26
(EN) A terpolymer with chemically amplified (acid labile) moieties and organosilicon moieties suitable for use as the binder resin for a photoimageable resist photoresist composition suitable for use in 193 nm photolithographic processes. The terpolymers have structural units: (I), (II), (III), where R is a methyl or hydroxyethyl group, R1 is a hydrogen atom, a methyl group or a -CH2COOCH3 group and R2 and R3 are each independently a hydrogen atom or a methyl group.(FR) Terpolymère avec fractions amplifiées chimiquement (instabilité acide) et fractions organosiliciées convenant comme liant résine pour une composition de résine photosensible/résine photoimageable pouvant être utilisée pour des procédés photolithographiques de 193 nm. Les terpolymères possèdent les unités structurelles (I), (II), (III) où R est un groupe méthyle ou hydroxyméthyle, R1 est un atome d'hydrogène, un groupe méthyle ou un groupe -CH2COOCH3 et R2 et R3 sont chacun et indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe méthyle.