摘要 已经制备了
镓 (III) 配合物 [Ga(chmdtc)3] (1) 和 [Ga(chedtc)3] (2)(其中 chmdtc=环己基甲基二
硫代
氨基甲酸酯和 chedtc=环己基乙基二
硫代
氨基甲酸酯)并通过红外、核磁共振(1H和 13C) 光谱、热重分析、X 射线光电子能谱和单晶 X 射线衍射 (XRD)。获得的两种配合物的热重曲线几乎相似。对于复合物 (1) 和 (2),最终残留物对应于 700°C 以上的
硫化镓 (
Ga2S3)。在 [Ga(chedtc)3] (2) 的单晶 X 射线结构中,Ga-S 键和相关的 CS 键显示不对称,这是填充的要求。由于咬合角的变化,该复合体显示出扭曲的八面体几何形状。纳米-α- 由单源前驱体 [Ga(chmdtc)3] (1) 和 [Ga(chedtc)3] (2) 制备。制备的纳米 已通过粉末 XRD、能量色散 X 射线光谱技术和透射电子显微镜